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先引一个图说明一下SDRAM的初始化过程吧，这样来的直观一些：

这便是SDRAM在开机时的初始化过程，上电后要有200us的输入稳定期，在这个时间内不可以对SDRAM的接口做任何操作；200us以后就是要对所有L-Bank预充电，再往后给SDRAM 8次的刷新命令；最后就是要对SDRAM的模式寄存器进行设置。上面的这些步骤就是SDRAM在上电后的全部初始化过程。在进行完了初始化过程以后就可以正常的对SDRAM进行读写了，当然了，在每隔一段时间后就要对SDRAM进行一次预刷新操作以防止数据丢失。

    下面就来解析下时序控制模块里的部分关于SDRAM初始化的verilog程序(sdram_ctrl.v)：

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//上电后200us计时,计时时间到,则done_200us=1

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wire done_200us;         //上电后200us输入稳定期结束标志位

reg[13:0] cnt_200us;

always @ (posedge clk or negedge rst_n)

    if(!rst_n) cnt_200us <= 14'd0;

    else if(cnt_200us < 14'd10000) cnt_200us <= cnt_200us+1'b1; //计数

//200us定时到，则done_200us=1

assign done_200us = (cnt_200us == 14'd10000);

    当200us计时时间结束以后，SDRAM的初始化进入第二步，所有L-Bank预充电状态，如何预充电呢？在这之前我们得先把SDRAM的各个端口的作用搞清楚了。看下图，K4S641632的datasheet中PIN的定义。

    在我的设计中，吧CKE,CS_n,RAS_n,CAS_n,WE_n这五个信号端口打包作为SDRAM的命令了。如下定义：

    // FPGA与SDRAM硬件接口

output sdram_cke;           // SDRAM时钟有效信号

output sdram_cs_n;          //  SDRAM片选信号

output sdram_ras_n;         //  SDRAM行地址选通脉冲

output sdram_cas_n;         //  SDRAM列地址选通脉冲

output sdram_we_n;          //  SDRAM写允许位

reg[4:0] sdram_cmd_r;    //  SDRAM操作命令

assign {sdram_cke,sdram_cs_n,sdram_ras_n,sdram_cas_n,sdram_we_n} = sdram_cmd_r;

    关于命令部分其实主要是在命令控制模块里赋值的。这里还是回到正题预充电，预充电其实只要给SDRAM的操作命令sdram_cmd_r赋一个相应的命令，只要保持一个时钟周期，然后sdram_cmd_r回到NOP命令，预充电大概需要保持1个时钟周期就行了（根据datasheet里的时间参数）。

    看看时序图吧：

    第一根粗黄线是预充电命令，可以看到这时候sdram的cs,cke,ras,cas,we都是和它前一个时钟周期（处于NOP命令）是不同的，只是保持了一个时钟周期，又回到了NOP命令，这样在第二条黄线处就算完成了预充电，往后进行的是预刷新操作。

    说到这，再补充一下关于SDRAM的时钟问题，SDRAM有一个输入始终引脚sdram_clk，它是SDRAM的工作时钟，而不是FPGA的工作时钟，在我的程序里，sdram_clk = ~clk;也就是说它和FPGA的系统时钟是反向的。这样以来，在FPGA时钟的上升沿可以对SDRAM的各个命令端口赋值，然后过了半个时钟周期正好是sdram_clk的上升沿，此时SDRAM锁存相应的数据地址或者命令。

    反向的时钟如下：

    预充电完成了就要连续进行八个预刷新，时序如下：

从第一根黄线开始到第二根黄线为止，正好是八次的预刷新操作。从图上不难看出预刷新操作需要的等待时间要比预充电长的多，大约需要6个时钟周期（也有的资料说要9个时钟周期，这和系统时钟有关吧，应视具体情况而定）。

发送一次预刷新命令，然后回到NOP命令等待完成，前后八次。

    在往后是模式寄存器设置，看下图：

    上图直观明了我就不多废话了。和前面不同的是在这一步，不仅要送命令，还要给BA0-BA1以及A0-A11端口送数据，也就是送入设置的信息。这些设置关系到以后正常读写SDRAM的相关时序。

    模式寄存器设置的时序如下：

    相应的sdram_ba和sdram_addr都做了赋值，其verilog代码如下：

I_MRS: begin  //模式寄存器设置，可根据实际需要进行设置

           sdram_cmd_r <= CMD_LMR;

           sdram_ba_r <= 2'b00; //操作模式设置

           sdram_addr_r <= {

                2'b00,//操作模式设置

                1'b0,//操作模式设置(这里设置为A9=0,即突发读/突发写)

                2'b00,   //操作模式设置({A8,A7}=00)

                3'b011,  // CAS潜伏期设置(这里设置为3，{A6,A5,A4}=011)

                1'b0,    //突发传输方式(这里设置为顺序，A3=b0)

                3'b010   //突发长度，(这里设置为4，{A2,A1,A0}=010)

              };

       end