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电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 电源与模拟 » 碳化硅(SiC)MOSFET性能的优势,国产碳化硅MOS选型介绍

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助工
2022-03-30 07:43:35     打赏
21楼

谢谢分享


助工
2022-04-01 18:09:42     打赏
22楼

TO-247-4L封装可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现



助工
2022-04-01 18:14:21     打赏
23楼

TO-247-4L封装可以进一步降低器件损耗,提升系统 EMI 表现



工程师
2022-04-01 21:52:07     打赏
24楼
谢谢分享

助工
2022-04-09 11:05:03     打赏
25楼

对SIC碳化硅MOS有兴趣的,可以联系有很多应用干货


专家
2022-04-09 11:11:12     打赏
26楼

XX


专家
2022-04-09 11:31:02     打赏
27楼

学习学习


高工
2022-04-09 11:54:03     打赏
28楼

谢谢分享


助工
2022-04-13 15:24:43     打赏
29楼

宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点


专家
2022-04-13 16:39:11     打赏
30楼

谢谢分享


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