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他的输入波形与输出波形如下：

大家先不要往下看，想想为什么？

有人觉得三极管是假的，有人建议降低R3的阻值，还有人觉得8050的开关速度不够，很多猜想。

其中有位网友（ID：lw2012）建议，R1上面并联一个100nF的电容试试，楼主并联之后，果不其然，问题得到解决，如下图所示：

这里涉及到一个叫做“加速电容”的概念。（以下内容参考自电源研发精英圈）

由于电荷存储效应，晶体管BE之间有一接电容，与Rb构成RC电路，时间常数较大影响了晶体管的导通和截至速度（即开关速度）。

加速电容的作用：

• 控制脉冲低电平时，电路达到稳态时，晶体管截至，电容两端电压为零。

• 控制脉冲高电平到来时，由于电容电压不能突变，电容需继续保持零，这样，左边输入突变为高电平，晶体管基极B电压突变到高电平，使晶体管迅速导通；电容被充电到脉冲电平电压；进入到稳态，电容电压为脉冲电平电压。

• 此后，当控制脉冲低电平到来时，由于电容电压不能突变，需继续保持脉冲电平电压，因此，基极电压从零（实际为be压降)跳变到负的脉冲电平电压，使得晶体管迅速从饱和状态转到截至状态；此后，电容通过R放电，达到稳态时，两端电压为零。

• 然后，重复以上过程。

电路中，电容并联在R1上，称之为加速电容，目的是加****极管导通和截至的转换速度。

再详细分析一下：

加速导通过程：当输入信号电压Ui从0V跳变到高电平时，由于电容Cl两端的电压不能突变，加到VT1基极的电压为一个尖顶脉冲，其电压幅值最大，如下图3所示，这一尖顶脉冲加到VT1基极，使VT1基极电流迅速从OA增大到很大，这样VT1迅速从截止状态进入饱和状态，加速了VT1的饱和导通，即缩短了VT1饱和导通时间（三极管从截止进入饱和所需要的时间）。

维持导通过程：在t0之后，对Cl的充电很快结束，这时输入信号电压Ui加到VT1基极的电压比较小，维持VT1的饱和导通状态。

加速截止过程：当输入信号电压U从高电平突然跳变到0V时，如图3(b)所示的tl时刻，由于Cl上原先充到的电压极性为左正右负，加到VT1基极的电压为负尖顶脉冲。由于加到VT1基极的电压为负，加快了VT1从基区抽出电荷的过程，VT1以更快的速度从饱和转换到截止状态，即缩短了VT1向截止转换的时间。

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