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MBR10100DC在TO-263封装里采用的2个芯片，其尺寸都是86MIL，是一款肖特基二极管。MBR10100DC的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100DC采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100DC的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.8V，恢复时间(Trr)为5nS，其中有3条引线。

MBR10100DC参数描述

型号：MBR10100DC

封装：TO-263

特性：肖特基二极管

电性参数：10A100V

芯片材质：SI

正向电流(Io)：10A

芯片个数：2

正向电压(VF)：0.8V

芯片尺寸：86MIL

浪涌电流Ifsm：150A

漏电流(Ir)：0.05mA

工作温度：-65~+175℃

恢复时间(Trr)：<5nS

引线数量：3

MBR10100DC肖特基TO-263封装系列。它的本体长度为10.6mm，加引脚长度为16.6mm，宽度为10.4mm，高度为4.8mm，脚间距为2.75mm。MBR10100DC采用阻燃环氧模塑料，有低功耗、高效率、低正向电压、高电流能力、高浪涌能力等特性，常用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用。

以上就是关于MBR10100DC-ASEMI肖特基二极管MBR10100DC的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产，致力于半导体行业，专注电源领域。

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