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coolstars的ST L053试用进程帖

菜鸟
2015-11-29 16:28:56    评分

由于接触STM32的时间不长,于是去网上搜查相关资料,然后发现,网上的资料并不多,芯片手册对于我这种初学者来说也相对难很多,不过同时我发现了Nucleo开发板不同于其他开发板同时对于入门的我们来说相对便利很多的的开发方式:

1、mbed

2、STM32CubeMX

对于mbed,ST的官网中可以找到(传送门:https://developer.mbed.org/platforms/ST-Nucleo-L053R8/),具体用法在去年也已经有人介绍(传送门:http://www.eeboard.com/bbs/thread-38401-1-1.html)虽然板子型号不同,但是操作步骤是极为相似的。


我们直接顺着系统新建出来的一个文件


单击Complie的将提示下载一个的bin文件,下载好后直接放入开发板连上电脑后弹出的那个U盘中,即可完成烧录程序工作


烧录进去不需要按复位或者重启电源即可以看到LD2正在缓慢的一闪一闪。(LD1在烧录的时候会闪,LD3应该是电源指示灯,LD2连在PA5口中)







关键词: STM32L053     mbed    

菜鸟
2015-11-29 16:33:03    评分
2楼

先贴上通过STM32CubeMX中看到的芯片引脚图


由于我尝试用通过CubeMX生成μvision5文件编译出来的hex文件烧录进去,用烧录软件和直接拷入U盘都不行,我觉得应该是哪里出现了文件,所以等我尝试成功后会再次更新,下个星期要进行课程设计了,所以更新会比较慢


菜鸟
2015-12-07 11:21:06    评分
3楼

接着上面的话题

       STM32cubemx的使用方法上面已经给出了传送门(是一个使LED2闪烁的例子),按照传统51的keil编译生成hex文件烧录进去后并没有效果。

        然后尝试曾经使用过的C8051F系列的烧录方法,得到的结果是灯直接熄灭,估计是flash被清除后没有东西写进去了

    然后选择ST-link进行调试,全速运行,还是可以看到LED2正常的闪烁,然后LED1也不断的闪烁(调试的时候或者下载的时候它都会闪烁)

然后退出调试之后,LED2还是会继续闪烁,复位过后也是,因为我猜测是烧录进去的,具体是不是,还需要进行下一步的测试


菜鸟
2016-01-10 22:34:12    评分
4楼

今天更的是某个论坛里一个大神对STM32中8种I/O模式的解释

转载地址:http://www.openedv.com/posts/list/21980.htm


浮空,顾名思义就是浮在空中,上面用绳子一拉就上去了,下面用绳子一拉就沉下去了.
开漏,就等于输出口接了个NPN三极管,并且只接了e,b. c极 是开路的,你可以接一个电阻到3.3V,也可以接一个电阻到5V,这样,在输出1的时候,就可以是5V电压,也可以是3.3V电压了.但是不接电阻上拉的时候,这个输出高就不能实现了.
推挽,就是有推有拉,任何时候IO口的电平都是确定的,不需要外接上拉或者下拉电阻.


(1)GPIO_Mode_AIN 模拟输入
(2)GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空输入
(3)GPIO_Mode_IPD 下拉输入
(4)GPIO_Mode_IPU 上拉输入
(5)GPIO_Mode_Out_OD 开漏输出
(6)GPIO_Mode_Out_PP 推挽输出
(7)GPIO_Mode_AF_OD 复用开漏输出
(8)GPIO_Mode_AF_PP 复用推挽输出

推挽电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时,两只对称的功率开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高。输出既可以向负载灌电流,也可以从负载抽取电流。推拉式输出级既提高电路的负载能力,又提高开关速度。

开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).
开漏形式的电路有以下几个特点:
1. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。
2. 一般来说,开漏是用来连接不同电平的器件,匹配电平用的,因为开漏引脚不连接外部的上拉电阻时,只能输出低电平,如果需要同时具备输出高电平的功能,则需要接上拉电阻,很好的一个优点是通过改变上拉电源的电压,便可以改变传输电平。比如加上上拉电阻就可以提供TTL/CMOS电平输出等。(上拉电阻的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度 。阻值越大,速度越低功耗越小,所以负载电阻的选择要兼顾功耗和速度。)
3. OPEN-DRAIN提供了灵活的输出方式,但是也有其弱点,就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电,所以当电阻选择小时延时就小,但功耗大;反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求,则建议用下降沿输出。
4. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。通过一只上拉电阻,在不增加任何器件的情况下,形成“与逻辑”关系。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。补充:什么是“线与”?:
在一个结点(线)上, 连接一个上拉电阻到电源 VCC 或 VDD 和 n 个 NPN 或 NMOS 晶体管的集电极 C 或漏极 D, 这些晶体管的发射极 E 或源极 S 都接到地线上, 只要有一个晶体管饱和, 这个结点(线)就被拉到地线电平上. 因为这些晶体管的基极注入电流(NPN)或栅极加上高电平(NMOS),晶体管就会饱和, 所以这些基极或栅极对这个结点(线)的关系是或非 NOR 逻辑. 如果这个结点后面加一个反相器, 就是或 OR 逻辑.
其实可以简单的理解为:在所有引脚连在一起时,外接一上拉电阻,如果有一个引脚输出为逻辑0,相当于接地,与之并联的回路“相当于被一根导线短路”,所以外电路逻辑电平便为0,只有都为高电平时,与的结果才为逻辑1。

由于浮空输入一般多用于外部按键输入,结合图上的输入部分电路,我理解为浮空输入状态下,IO的电平状态是不确定的,完全由外部输入决定,如果在该引脚悬空的情况下,读取该端口的电平是不确定的。
上拉输入/下拉输入/模拟输入:这几个概念很好理解,从字面便能轻易读懂。
复用开漏输出、复用推挽输出:可以理解为GPIO口被用作第二功能时的配置情况(即并非作为通用IO口使用)
最后总结下使用情况:
在STM32中选用IO模式
(1) 浮空输入_IN_FLOATING ——浮空输入,可以做KEY识别,RX1
(2)带上拉输入_IPU——IO内部上拉电阻输入
(3)带下拉输入_IPD—— IO内部下拉电阻输入
(4) 模拟输入_AIN ——应用ADC模拟输入,或者低功耗下省电
(5)开漏输出_OUT_OD ——IO输出0接GND,IO输出1,悬空,需要外接上拉电阻,才能实现输出高电平。当输出为1时,IO口的状态由上拉电阻拉高电平,但由于是开漏输出模式,这样IO口也就可以由外部电路改变为低电平或不变。可以读IO输入电平变化,实现C51的IO双向功能
(6)推挽输出_OUT_PP ——IO输出0-接GND, IO输出1 -接VCC,读输入值是未知的
(7)复用功能的推挽输出_AF_PP ——片内外设功能(I2C的SCL,SDA)
(8)复用功能的开漏输出_AF_OD——片内外设功能(TX1,MOSI,MISO.SCK.SS)
STM32设置实例:
(1)模拟I2C使用开漏输出_OUT_OD,接上拉电阻,能够正确输出0和1;读值时先GPIO_SetBits(GPIOB, GPIO_Pin_0);拉高,然后可以读IO的值;使用GPIO_ReadInputDataBit(GPIOB,GPIO_Pin_0);
(2)如果是无上拉电阻,IO默认是高电平;需要读取IO的值,可以使用带上拉输入_IPU和浮空输入_IN_FLOATING和开漏输出_OUT_OD;


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