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按照目标应用的信号传输速度选择ESD保护二极管是设计高效ESD保护功能的关键之一。基本上，信号的数据传输速率越高，ESD保护二极管的电容负载效应就要求越低，只有这样能才能使保护组件在电流信号上产生的损耗降至最低。

实验室的测量结果显示，寄生结电容高于3.5pF的ESD保护二极管可能会在高速数据传输时产生很大的信号衰减。结果可能导致USB2.0收发器无法正常读取数据。而对于USB1.1接口，寄生电容大约50pF的二极管并不会构成任何数据完整性问题。这就是USB2.0的ESD保护组件的额定寄生电容在0V时通常要求低于3pF的主要原因。 例如，在USB2.0的情况中，因为数据传输速率达到480Mbps，所以需要ESD保护组件的电容极低。

浪拓电子公司新推出的ESD保护二极管，它的极间电容很小(Cj=0.6PF)，非常适合USB等高速信号线的应用。USB2.0、USB3.0静电保护方案如图所示。