MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车,工业,军事和太空应用,这些对于MRAM开发人员来说是重要的部分。
那么MRAM的优势究竟有哪些呢?下面我们分几点一起来看看:
首先,MRAM是非易失性存储器,也就是断电后MRAM依旧可以保存数据。这一点和之前介绍的NRAM类似。
其次,MRAM不存在读取磨损的问题。由于MRAM的原理只涉及磁场改变方向等,不像闪存颗粒那样需要一定数量的电子才能工作,并且电子存在丢失可能,因此寿命理论上来说是无限的,磁场的稳定性要比电场好很多。
第三,MRAM的功耗很低。由于MRAM在写入数据时只需要反转磁场即可,因此所需功耗能够控制在比较低的范围。
第四,MRAM抗辐射效应出众。由于MRAM使用的是金属、又是磁存储结构,因此在一般的辐射下能够稳定工作,比DRAM、SRAM、NAND等强很多。
第五,MRAM读写速度比较高。目前MRAM产品的读写速度已经超过了DRAM,距离sram还有一定差距。不过随着工艺的进步和结构设计的提高,MRAM有望让速度再上一个台阶。
在这五大优势背后,MRAM也存在一些问题。比如目前制造和设计都比较困难,材料上还有进一步拓展的空间,目前价格也比较昂贵,尚未经过大规模量产等。耐久性方面,MRAM由于使用的是磁场来存储数据,因此在外界磁场干扰、高温等环境下是否能稳定、长久的保存数据,还有待检验。
Everspin Technologies,Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品广泛应用在数据中心、云存储、能源,工业,汽车和运输市场中,为全球MRAM用户奠定了最强大,增长最快的基础。代理商宇芯电子提供产品技术支持指导。
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EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势
关键词: Everspin 非易失性存储器 MRAM
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