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提高电流密度和开关性能 飞兆半导体公司推出同步降压转换器芯片组，其设计特别利用最新的 IMVP (英特尔移动电压定位) 技术规范，在笔记本电脑中优化效率和空间。通过飞兆半导体的PowerTrench? MOSFET技术，高端“控制”MOSFET (FDS6298) 和低端“同步”MOSFET (FDS6299S) 会构成一个芯片组，为同步降压转换器应用提供更大的电流密度和更高的效率。此外，FDS6299S器件的单片电路SyncFET? 技术毋须使用外部肖特基二极管，因此能节省电路板空间和装配成本。 　　飞兆半导体计算解决方案市务经理David Grey称：“飞兆半导体PowerTrench技术支持的功能集能够提高效率。在同步降压转换器应用中，性能通常由效率来衡量。更高的效率往往意味着芯片的温度较低、可靠性更高，以及是改善电磁兼容性或EMI的指标。我们的技术还减小了由直通引起的大电流尖峰的出现，故此减少了信号振荡和电磁噪声辐射 。此外，与需要外部肖特基二极管的解决方案相比，飞兆半导体的FDS6298/FDS6299S芯片组利用配对的集成式SyncFET?器件来减少组件数目。” 　　这种集成芯片组的米勒电荷 (Miller) Qgd极低，并具有快速的开关速度和小于1的Qgd / Qgs比，以限制交叉导通 (Cross-conduction) 损耗的可能性。除了Vcore设计之外，快速开关FDS6298和低导通阻抗RDS(on) FDS6299S提供了配对使用的好处，非常适合于高端通信设备等应用中的大电流负载点 (POL) 转换器。 　　这些产品均采用无铅SO-8封装，能达到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。