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latch,up 请教各位大虾,什么叫闭锁效应(latch-up)
问
如题!
答 1:
latch-up 静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏,因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外,氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度,使器件很容易因静电电压而失效。
答 2: 看我的Blog我写过专门的文章诠释。 答 3: to chunyangpardon me.
but what and where is your Blog? thanks. 答 4: 点chunyang的签名中的--【Chunyang工作室】 答 5: 谢谢 答 6: 多谢awey朋友的解答 答 7: 学习了 highway 发表于 2006-6-7 14:49 技术交流 ←返回版面
latch-up
静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏,因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外,氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度,使器件很容易因静电电压而失效。
答 8: 楼上你学习个P啊。那个Highway就是个什么都不懂的白痴。
闩锁效应指的是触发CMOS电路的寄生可控硅。 答 9: 嘿嘿记得很久以前,去一个公司面试的时候接受书面测试,就有道题说:
该如何避免latch-up现象的发生?(大概是这个意思)
这个问题一直以来我都没有得到解答,今天总算是拨云见日了。。。
CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏,因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外,氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度,使器件很容易因静电电压而失效。
答 2: 看我的Blog我写过专门的文章诠释。 答 3: to chunyangpardon me.
but what and where is your Blog? thanks. 答 4: 点chunyang的签名中的--【Chunyang工作室】 答 5: 谢谢 答 6: 多谢awey朋友的解答 答 7: 学习了 highway 发表于 2006-6-7 14:49 技术交流 ←返回版面
latch-up
静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应(latch-up)是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上,则该氧化物薄膜就会因介质击穿而损坏。很细的金属化迹线会由于大电流而损坏,并会由于浪涌电流造成的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下,器件在电源与地之间形成短路,造成大电流、EOS(电过载)和器件损坏。
CMOS 器件因闩锁效应特别容易损坏,因为电感会在器件的寄生电容中累积。另外,氧化物材料中任何原子一级的缺陷都会降低氧化物层的介电强度,使器件很容易因静电电压而失效。
答 8: 楼上你学习个P啊。那个Highway就是个什么都不懂的白痴。
闩锁效应指的是触发CMOS电路的寄生可控硅。 答 9: 嘿嘿记得很久以前,去一个公司面试的时候接受书面测试,就有道题说:
该如何避免latch-up现象的发生?(大概是这个意思)
这个问题一直以来我都没有得到解答,今天总算是拨云见日了。。。
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