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问  附图是常见开关电源的初级电线圈上并的一个放电回路 。我想问的是C5，R2，D4这几个元件具体的作用是什么？其中电阻大小对MOS管，或者主回路的IC(集成了MOS管)有什么影响？我发现R2开路就必烧后面的IC！且这个电阻值各个厂家也不一样!有的是56K,68K,75K,82K,100K,150K!我现在用的是100K!
望复！谢谢！ 答 1: 放电回路r2失效以后整个吸收回路失去了放电回路，吸收回路完全失效，mos管会被高的电压尖峰击穿损坏。 答 2: snubber每本电源书上都有介绍的 答 3: 不妨用示波器看看我想你用100K，那你的电源功率应该不大，应该小于10W。电阻和电容的值可以根据输出功率及频率适当的取值，功率输出大的时候变压器初级绕线少，尖峰高，就需要更小的电阻更大的电容了。小了肯定在这上面的耗散功率就大，但尖峰吸收肯定好些。可以在满载及空载情况下拿示波器观看功率管基极及集电集的波形，取个最接近驱动功率管的波形时的阻容值就行了 答 4: 尖锋吸收用的。 答 5: 这个用得太普通了，但相当重要 答 6: 新手我这４０Ｗ，但是用了两个１２０Ｋ的啊 答 7: 经典的MOS管吸收电路吸收电压尖峰，电阻是给C提供放电回路的。三者缺一不可。 答 8: 输出为7.5V/1.5A谢谢各位的回答!输出为7.5V/1.5A
不知这R,C的取值有没有经验值!?我们第一次做电源的 答 9: 随便说说如果次级的快速二极管是理想的，那么C5 R2 D4真的就是多余的了。
由于快速二极管依然有个导通时间，在Q1关断的瞬间，二极管还没有来得及导通这个时间内，没有续流电路的存在，将在Q1的S端产生一个高电压，会击穿Q1。C5 R2 D4的作用就是给线圈中积蓄的能量一个缓冲出路，不至于产生过高的电压击穿Q1，这个缓冲放在次级线圈电路中同样有效。
至于器件参数的计算，除了考虑原线圈在Q1导通时的电流（能量）外，也要考虑采用的次级快速二级别管的本身的性能
这里的D4也有个导通时间的问题，如果q1的寄生电容太小，Q1导通时的电路过大，在Q1关断的时候，S端的电压上升过快，超过D4的导通时间，或者自己没有把握（在试验阶段），建议在Q1旁路增加一个缓冲电路
如果讨厌计算电路元件的参数，那么用足够快的示波器观测波形，逐步调整元件参数
如果这样还担心Q1会损坏，呵呵，那就选击穿电压高的器件吧

答 10: 猜想C5 R2 D4至关重要,C5吸收在Q1关断的时候初极产生尖锋脉冲电压.R2则在Q1导通时放掉C5的电能.R,C的取值以电源的工作频率和功率选定. 答 11: 吸收电路对EMI,效率，mos管耐压等都有影响，参数与电源的功率和频率有关 答 12: 太重要了哟C5 R2 D4太重要了，伙计，C5吸收在Q1关断的时候初极产生尖锋脉冲电压.R2则在Q1导通时放掉C5的电能
.R,C的取值以电源的工作频率和功率选定.也可以跟据你的经验来定
答 13: 电路的真实作用   告诉你以上电路的真实作用.
   从图中,可看出这是个单端反激开关电源电路.其变压器工作于第一象限,即单象限工作.在Q1导通时,TF3的储能.当Q1关断时,TF3释放能量．
　　在Ｑ１关断的瞬间，Ｑ１上的电压为电源电压＋次级反射电压（通过变压器耦合）＋漏感关断电压．对于电源电压及次级反射电压，这是确定的值，而由于漏感形成的关断电压是没有办法去掉的（因为之前提到的变压器工作于单象限，在磁芯中必须开气隙，电路先天性存在大的漏感），只能采用抑制的办法，Ｄ４，Ｃ５，Ｒ２便是这抑制电路，它只在Ｑ１关断时作．
　　那么，Ｃ５，Ｒ２取值多少合适呢？这与Ｑ１的漏极击穿电压值有关，耐压值低，那么Ｃ５大点，Ｒ２小点，反之，Ｃ５变小点，Ｒ２变大点．对于楼主所说的Ｒ２取掉，Ｑ１会烧，我估计其耐压值应该为６００Ｖ．建议选漏极击穿电压为６５０Ｖ或７００Ｖ的ＭＯＳＦＥＴ．Ｃ５为１０３／１ＫＶ，Ｒ２为６８Ｋ／２Ｗ．