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MOSFET内部漏源二极管?

高工
2010-10-18 16:44:42    评分
MOSFET内部的保护二极管,就是接在漏源极之间的那个,一般是集成的肖特基二极管还是齐纳二极管?



关键词: MOSFET     内部     漏源     二极管    

菜鸟
2011-01-08 17:13:34    评分
2楼

我觉得应该是肖特基,它起泄放作用,要求速度快


高工
2011-03-05 16:24:00    评分
3楼
这个一般是通过特殊工艺做在上面的,应该不是普通二极管吧,既然泄放电流,就应该要求很高的反应速度,普通二极管肯定不行啊。

高工
2011-03-29 21:56:32    评分
4楼

这个二极管不是故意做上去的,是由MOSFET寄生参数生成的,不过反向恢复时间一般也能达到100ns级别甚至更低,由于肖特基与mosfet的制作工艺不同,我觉得不太可能是肖特基


助工
2012-05-11 22:49:38    评分
5楼
楼上几位也都说了,这个是寄生二极管,一般情况下要防止它的导通带来问题,而也有时候需要利用到它实现电感的续流,若无法满足的话,则可以采用并联一个肖特基满足开关时间的需求,现在IR半导体公司里的产品就我所了解已经有把该寄生二极管做成肖特基二极管了。使再使用上更人性化。不必外加肖特基即可实现很好的续流效果.

菜鸟
2012-05-14 20:50:38    评分
6楼
首先可以肯定,这个二极管的产生式工艺本身的原因造成的,好像称为结体二极管(Body Diode), 没有这个二极管的MOSFET管是不存在的。对这个二极管,每个MosFET手册都有对应的数据,只不过不是每个厂商都有详细的数据,这点上IR做的比较好。至于是不是肖特基二极管,请参看楼上。

菜鸟
2012-05-18 13:42:54    评分
7楼
这个二极管可不是集成的哦!
不是肖特基,也不是齐纳,是在mosfet制造过程中寄生出来的二极管。
这个二极管的参数是很差的。反向恢复或者导通时间和市面上的二极管不能比的

菜鸟
2012-05-19 10:15:22    评分
8楼
1.这个二极管确实不是可以去做的,是做MOS的时候,因为MOS的结构而产生的,具体产生原因可以看看微电子方面的东西。
2.这个二极管可以是普通二极管,也可以是肖特基二极管,一般大电流的MOS会是肖特基
比如IRF3205就是肖特基


而普通的IRF540则不是



助工
2012-05-21 12:53:44    评分
9楼
支持六楼,应该跟功率管驱动端并接的续流二极管功能类似,尽管位置不太一样。

菜鸟
2015-04-07 15:23:55    评分
10楼
楼上的解析非常好,这个是成产就产生的,不是故意加上去的

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