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芯片失效分析方法大全

菜鸟
2019-08-07 13:28:18     打赏

1.OM 显微镜观测,外观分析

2.IV曲线量测仪,电压电流分析

3. X-Ray 检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。(这几种是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段)

4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸)

5.取die,开封 使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除,使被检样品内部结构暴露。

6. EMMI微光显微镜 用漏电流路径分析手段

7.切割制样:使用切割制样模块将小样品进行固定,以方便后续实验进行

8.去层:使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层,使被检样品下层金属暴露,如需去除金属层观察下层结构,可利用研磨机进行研磨去层。

9. FIB做一些电路修改,切点观察

10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。





关键词: 芯片     失效     分析     失效分析    

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