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EverspinMRAM内存技术如何工作

菜鸟
2020-08-31 13:50:06    评分

Everspin Technologies总部位于亚利桑那州钱德勒,主要是设计和制造MRAM、STT-MRAM的全球领导者,Everspin所生产的MRAM产品包括40nm,28nm及更高工艺在内的先进技术,在节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。其产品包装和测试业务遍及中国,台湾和其他亚洲国家。
 
那Everspin MRAM内存技术是如何工作的?下面将解析关于MRAM内存技术工作原理。
  
 
Everspin MRAM与标准CMOS处理集成
 
Everspin MRAM基于与CMOS处理集成的磁存储元件。每个存储元件都将一个磁性隧道结(MTJ)器件用于存储单元。
 

 

 
磁性隧道结存储元件
 
磁性隧道结(MTJ)存储元件由固定磁性层,薄介电隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时,被磁性层自旋极化的电子将通过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。
 
当自由层的磁矩平行于固定层时,MTJ器件具有低电阻,而当自由层磁矩与固定层矩反平行时,MTJ器件具有高电阻。电阻随设备磁性状态的变化是一种被称为磁阻的效应,因此被称为“磁阻” RAM。
 
Everspin MRAM技术可靠
 
与大多数其他半导体存储技术不同,数据存储为磁性状态而不是电荷,并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先,磁极化不会像电荷一样随时间流逝而消失,因此即使关闭电源,信息也会被存储。其次,在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动,因此不存在已知的磨损机制。

 
Everspin MRAM特点
•消除备用电池和电容器
•非易失性工作存储器
•实时数据收集和备份
•AEC-Q100合格选件
•停电时保留数据
•延长系统寿命和可靠性




关键词: Everspin     MRAM     非易失性存储器    

工程师
2020-08-31 14:51:10    评分
2楼

原来如此


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