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【转】6吋氮化镓单晶面世!关键技术揭秘

助工
2022-04-12 17:32:28     打赏

昨天,日本又一家企业——丰田合成——宣布成功量产了6英寸氮化镓单晶衬底。

据丰田合成的最新文献,他们是通过钠助溶剂液相法,先在蓝宝石衬底上生长籽晶,然后再经过HVPE法生长高质量的氮化镓单晶,研发时间仅半年。


量产6英寸GaN衬底2025年营收目标超53亿3月15日, 丰田合成 官网宣布,他们与 大阪大学 合作,成功制造出应用于功率半导体的6英寸 GaN衬底 。  

6英寸GaN衬底

据介绍,这项成果是由日本环境省,丰田合成和大阪大学利用 钠助 溶剂液相法GaN单晶生长法,生产了超过6英寸的 高质量 GaN 衬底。

制造大直径GaN衬底的要点(钠熔剂法)

丰田合 成表示, 6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于 早期LED氮化镓衬底技术 的积累。LED产业界认为,对氮化镓研究得最成功的单位日亚公司和丰田合成。丰田合成从1986年就开始研究GaN基LED的生长技术,1991年在 诺贝尔物理奖得主 赤崎勇教授的指导下,他们 率先 在世界范围内成功开发出GaN蓝光LED。除了氮化镓衬底外,丰田从2010年就开始研究 GaN基功率器件 。2015年其GaN基功率器件实现了 50安培 的大电流操作;2016年7月,丰田合成研发出世界 首颗 GaN基 1200V 功率晶体管芯片,工作电流超过20A;并在2019年6月,GaN基功率器件实现了 100安培 的大电流操作。4次迭代技术半年成功研发6吋单晶根据 文 献,丰田合成为了开发6英寸氮化镓单晶,采用了钠助溶剂和MVPE两种方法。 钠助溶剂法是为了生长高质量籽晶,而MVPE是为了生长氮化镓单晶。整个 生长工艺如下:

丰田合成先使用钠助溶剂法在蓝宝石衬底上生长了多籽晶衬底(MPS)。据介绍,他们 已制造出直径 8 英寸的 MPS衬底 , 正在开发 10 英寸级大直径 MPS衬底 。

而这种方法只用于生长优质GaN籽晶,他们采用了MVPE等方法,在籽晶上再生长厚厚的GaN,以生产高质量的GaN衬底。

丰田合成株式会社表示,他们将继续评估6英寸衬底的量产质量,并致力于进一步提高产品质量和扩大直径(6英寸或更大)。 


据介绍,2021年10月,他们已经成立了一家风险投资公司“teamGaN”,使用这项GaN衬底制造技术,为功率器件开发提供 GaN 衬底。据了解,2025年丰田合成氮化镓业务的营收目标是要达到1000亿日圆(约53.3亿人民币),其中氮化镓衬底和功率器件是主要营收来源。而且丰田与日本名古屋大学合作开发了“全氮化镓汽车”,届时从LED照明、激光雷达和功率器件都将采用氮化镓技术。

住友、三菱量产4吋衬底6吋单晶已在路上据 《2021第三代半导体调研白皮书》 ,丰田合成株式会社并不是日本第一家宣布成功制造出6英寸GaN衬底的企业。● 早在2021年6月, 住友化学 表示将投入100亿日元(约5.86亿人民币),从2022年开始 量产 4英寸GaN单晶衬底。而且他们还表示已经成功制作了6英寸的GaN衬底,并 加快 了量产技术的 建立 。  未来5年,住友化学的目标是将GaN衬底营收 提升3倍 ,从光电领域转入更大的功率半导体领域。● 2021年3月, 三菱化学 曾透露,他们已开发出4英寸GaN单晶衬底,计划于2022年4月开始供应并且正在开发6英寸的产品。  而且,其晶体缺陷仅为普通GaN衬底的大约1/100-1/1000,“ 几乎没有缺陷 ”。

国内企业氮化镓单晶进展

放眼国内,近几年内, 吴越半导体 、 苏州纳维 、 广东光大 、 上 海瀚镓 和 镓特半导体 以及 东莞 中稼 在氮化镓单晶方面均取得了良好成果。2021年12月,吴越半导体举行了GaN晶体出片仪式,展出了全球范围内 首次 厚度突破 1 厘米 的氮化镓晶体。  据悉,2020年2月,吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议,在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目 ——首个落户于无锡先导集成电路装备材料产业园的项目。2021年1月,苏州纳维举行总部大楼奠基仪式,项目建成后,GaN单晶衬底及外延片年产能达 5万片 。在2017年,该公司推出4英寸GaN单晶衬底,并突破了6英寸的关键核心技术。2021年9月,东莞增补了 6 1个 2021年第三批市重大项目,其中包括广东光大的 氮化镓项目 ,总投资额高达 44亿 元,建成后将生产2-4英寸氮化镓衬底等产品。2021年8月,根据《瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化》项目的环评公示,上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”。 
2020年3月,镓特半导体宣布开发出4英寸 掺碳半绝缘GaN晶圆片 。据悉,该公司已初步具备自支撑氮化镓晶圆片产业化生产条件,4英寸自支撑氮化镓晶圆片厚度达 800μm 。2018年2月,东莞中稼半导体宣布,在国内 首次 试产4英寸自支撑GaN衬底,并计划于同年年底实现常规 量产 。




关键词: 氮化镓     GaN    

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