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问 例如，N沟道增强型场效应管，当漏极相对源极电位为负、栅源电压为正且超过阈值时，会是怎样的情况（我现在手头没管子试，又赶时间）？对管子性能有没有影响，或者说，能否作为一种正常应用状况？

谢谢朋友们指点。
答 1: 反接且栅源电压为正且超过阈值时MOSFET导通反接且栅源电压为正且不超过阈值时MOSFET漏极与源极之间相当于一个正向的二极管。
答 2: Vgs没有超过阈值时“漏极与源极之间相当于一个正向的二极管”？感谢指点！
我对“栅源电压为正且不超过阈值时MOSFET漏极与源极之间相当于一个正向的二极管”这句话还是不太理解，我觉得在栅源电压低于阈值时漏源间无论电压极性如何均为关断态，“正向的二极管”怎解？抱歉没法找管子试试。 答 3: 回楼主这个二极管是由制造工艺决定的，并不是所有MOSFET都如此。看看大功率MOSFET管例如IRFP450或IRFT460的datasheet就清楚了，那里甚至在MOSFET的图形符号上就把这个二极管画上了。
答 4: 哦，原来是制造工艺造成的我以前还以为是起什么保护作用而人为加上的呢。Thank you!

这样，是不是可以说，如果选择没有这个反向二极管的FET，则其漏源间可以施加变极性电压作为长时间的正常应用？我查了两本教科书上给的增强型N-MOSFET的转移特性曲线，都是只给出 Vgs > 0 情况下的。 答 5: to maychang:现在能找到不含这种体二极管的MOSFET吗？刚才到处搜了一下，实在没找到不含这种反向二极管的MOSFET。搜到电源网的一组帖子，有人说现在的工艺都这样。不知道你了解有没有这样的具体型号呢？P沟道、N沟道各需要一种，ABS Vds、Vgs > 20V, Id > 0.3A, Rds < 0.5ohm。谢谢了！ 答 6: 那个二极管好象是孪生的哦,去不掉的吧

是为了提高器件的保护性能，因为这种CMOS型晶体管非常容易击穿，为了防止这一点，在工艺中会加入一层PN结保护层，制造工艺带的，一般都有。反向的时候二极管会导通，这个二极管一般有最大电流参数，超过一定值，就会损坏了。