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英日联手研发新一代纳米电子元件

【据《日经BP社》 2003.07.16报道】
英国克兰费尔德大学(Cranfield university)教授兼该校纳米科技中心主任罗杰·怀特摩尔(Roger W. Whatmore,照片)日前访问了日本。日前透露,正在与TDK进行纳米技术联合研究。
关于二者的联合研究内容和产业化计划,与新一代电子元件和高频元件有关。
怀特摩尔目前在大学里进行的研究项目包括在非挥发性内存的硅底板上低温形成(500~700℃)铁电薄膜的研究,以及采用MEMS技术的微架构、红外线传感器、高频滤波器和高频电路等开发工作。另外,他还表示最近“对在生物科技研究中使用铁电体抱有极大兴趣”。
产业技术综合研究所近场光应用工学研究中心主任表示说:“在纳米科技产业应用研究领域,克兰费尔德大学与剑桥大学在英国可谓技术双雄,前者甚至还要超过后者”。
在由怀特摩尔担任中心主任的克兰费尔德大学纳米科技中心,以包括怀特摩尔在内的13名研究人员为主,目前正在开展各种纳米科技研究。在自身的研究领域以外,怀特摩尔还举出了对产业冲击较大的3个研究领域,一个是硅的深次微米工艺和光子结晶制备等材料研究,一个是生物传感器的研究,最后一个是光学元件用的LB(Langmuir-Blodgett)膜的研究。
关键词: 英日 联手 研发 新一代 纳米 电子元件
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