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肖特基二极管和普通二极管的结构上的区别: 肖特基是用金属代替了n型si,形成pn结, 普通二极管就是一般的pn结 于是 肖特基的特点是工作速度快,因为金属的自由电子的速度快, 开启电压较低,一般为0.4v,普通二极管为0.6v 所以 特基二极管经常用于为防止三极管过饱和而作的钳位电路. 和一些高速电路中. 场效应管和三极管的区别: 这是器件的根本性的变化,而不是对某一种的优化改进. 三极管是 少数载流子的工作,是由于c,e,的多子在b进行复合.造成 c极相对b极放大, 所以也可以说是电流控制的放大器件, b区的制作和c,e的掺杂浓度决定了三极管的性能. mosfet 是多子工作器件. 实现了电压控制电路. 你完全可以把mosfet看作开关,这个开关可以用g极的电压控制. 而用mosfet作的放大器,就是电压放大器. 场效应管和bipolar管在集成电路上的应用吗， 一般的是现在是cmos领衔主演了， 因为集成度高，设计规则，现在又解决了栅氧化层的工艺问题， 所以亚，而且改进工艺和设计后，cmos的速度也在提高. 所以嘛vlsi大多数都是用的cmos工艺了。 现在的cpu好像都是cmos工艺？好像第一个cpu是bipolar工艺的？ 486好像用过cmos－bipolar工艺？ 我模模糊糊感觉好像是的，在哪里听说过?nbsp; bipolar工艺嘛，在高速的电路中，模拟电路中就领衔主演了。 主要有点是速度快，带负载的能力强，所以亚cmos作出来的电路 的输出节也要用bipolar电路的了。缺点嘛，功耗大，集成度低啦。 最理想的当然是cmos－bipolar工艺了，不过工艺复杂，成本太高，成品率太低， 好像不是很热门的说。