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栅极驱动器环路设计对SiCMOSFET开关性能的影响 flyingstar01\|浏览：290\|回复：1\| xqh518 2025-08-27 16:58:04
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IGBT栅极驱动的参数要求和驱动条件 tanfpga\|浏览：169\|回复：0\| tanfpga 2024-08-27 19:58:04
1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on) Ewyas\|浏览：2252\|回复：14\| Ewyas 2024-06-26 09:45:55
MOS管栅极串联电阻作用分享睡梦中的雄师\|浏览：482\|回复：1\| xqh518 2024-04-23 16:17:36
MOS管栅极串联电阻作用分享睡梦中的雄师\|浏览：801\|回复：1\| xqh518 2024-02-26 16:26:35
MOS管栅极串联电阻作用 OOzero\|浏览：3306\|回复：36\| 15993135512 2023-02-21 09:11:03
请教：MOS管的栅极G和漏极D短接在一起的用途是？黑星\|浏览：8571\|回复：7\| xiongG 2022-11-29 21:41:41
MOS管栅极串联电阻作用分享睡梦中的雄师\|浏览：887\|回复：3\| hymyfzgs 2022-11-08 09:35:38
MOSFET栅极驱动电路设计注意事项睡梦中的雄师\|浏览：2153\|回复：21\| 13317725999 2022-06-27 10:20:10
为什么栅极型推挽电路不用上P下N？ OOzero\|浏览：1705\|回复：15\| 13317725999 2022-01-12 09:34:45
高电压、高速栅极驱动器-FD2504S 英飞尔电子\|浏览：1410\|回复：0\| 英飞尔电子 2019-10-18 11:22:50
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栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响分析 dolphin\|浏览：5046\|回复：2\| qingshan018 2019-08-20 15:20:50
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