并联一个1M的电阻到晶振旁的作用
并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?
我今天到一个客户那里跳板子,原先我们的参考电路图上面是有这个1M电阻的,客户处于某种原因的考虑,将这个1M电阻去掉了。
下完程序后,在有1M电阻的板子上面,马上就可以运行程序,而在没有1M电阻的板子上,要过很久程序才开始运行。
看来是这1M电阻影响了晶体振荡器的起振时间。
但这个1M的并联电阻到底起到什么作用呢?
有人说防止晶体停振,但到底是什么更有说服性的原因?
希望大家在这里讨论讨论。
我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| PCF8574功能模块及其使用被打赏¥20元 | |
| 传感器LSM6DSO及LIS3MDL的功能检测被打赏¥18元 | |
| LPS25HB气压传感器及其检测被打赏¥18元 | |
| HTS221温湿度传感器及其检测被打赏¥18元 | |
| 【S32K3XX】HSE FW 版本更新被打赏¥21元 | |
| 基于ArduinoUNO开发板的AT24C02读写测试被打赏¥16元 | |
| TCS3472S传感器及其色彩检测被打赏¥19元 | |
| 【S32DS】S32K3 RTD7.0.1 HSE 组件配置报错问题解决被打赏¥27元 | |
| 【S32K3XX】MCME 启动 CORE1被打赏¥23元 | |
| AG32VH407下温度大气压传感器及其检测被打赏¥20元 | |
我要赚赏金
