共1条
1/1 1 跳转至页
德科学家开发最快的硅-锗技术 高达110GHz
搜狐IT消息,德国Infineon公司的科学家们已经开发出世界上最快的硅-锗(SiGe)技术,运行速度高达110GHz。这种新技术将催生一系列新高速通信应用产品的诞生。
基于其SiGe:C双极技术,Infineon公司为高速通信设计了几个关键的功能模块。这种方法能够允许截止频率超过200GHz、环形振荡器选通延迟时间3.7微微秒(3.7-ps)的设备正常工作。
Infineon公司的硅-锗方法据说比其他竞争电路运行频率高10%-30%,并能在通信系统的新应用产品中使用。能够在这项研究成果中受益的设备和产品包括:分立元件、射频芯片、速度高达40G每秒有线芯片等。该公司已经采用这项技术制造出数个创纪录的集成电路,其中包括110GHz的动态频率分配器。
关键词: 科学家 开发 快的 技术 高达 110GHz
共1条
1/1 1 跳转至页
回复
我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| OK1126B-S开发板下以导航按键控制云台/机械臂姿态调整被打赏¥29元 | |
| 【树莓派5】便携热成像仪被打赏¥36元 | |
| 【树莓派5】环境监测仪被打赏¥35元 | |
| OK1126B-S开发板下多时段语音提示型电子时钟被打赏¥27元 | |
| OK1126B-S开发板下函数构建及步进电机驱动控制被打赏¥25元 | |
| 【S32K3XX】LPI2C 参数配置说明被打赏¥20元 | |
| OK1126B-S开发板的脚本编程及应用设计被打赏¥27元 | |
| 5v升压8.4v两节锂电池充电芯片,针对同步和异步的IC测试被打赏¥35元 | |
| 【S32K3XX】S32DS LPI2C 配置失败问题解决被打赏¥22元 | |
| 【S32K3XX】FLASH 的 DID 保护机制被打赏¥19元 | |
我要赚赏金
