非常感谢你能关注我的帖子,也非常感谢你能提出如此的问题。
在电路图中的二极管是不可缺少的,如果使用普通的二极管具体接法应该是三极管Q1的基极接二极管的阳极,平时由于C点是高电位,从此点看二极管是反向截止的,从而也就使Q1的基极没有电流流过,这是从C点到Q1基极的方向,这也就是此电路设计最精妙的地方,如果想使三极管导通,只有在PNP型的三极管发射结正偏导通时,三极管才会正常工作,也就是基极的电流必须由基极流出经过二极管DW1、R4,然后到U1的10脚(在开关S1闭合时提供的低电平)到U1的地,这样的电流回路使整个电路活了起来。这也就是为什么7404漏电大就不能使电路正常工作的根本原因。
由于三极管工作的时间只有大约5秒,时间很短,所以用普通二极管不会有太大的问题,用稳压二极管可以使三极管流过的电流减小,使三极管的功耗也降低了,电路工作的可靠性增强了。
整个电路用回路电压的概念去理解应该很快就明白了。
说的再明白点就是利用二极管的正向导通反向截止的特性来达到控制三极管的开与关的目的。
很高兴与你共同探讨。
在电路图中的二极管是不可缺少的,如果使用普通的二极管具体接法应该是三极管Q1的基极接二极管的阳极,平时由于C点是高电位,从此点看二极管是反向截止的,从而也就使Q1的基极没有电流流过,这是从C点到Q1基极的方向,这也就是此电路设计最精妙的地方,如果想使三极管导通,只有在PNP型的三极管发射结正偏导通时,三极管才会正常工作,也就是基极的电流必须由基极流出经过二极管DW1、R4,然后到U1的10脚(在开关S1闭合时提供的低电平)到U1的地,这样的电流回路使整个电路活了起来。这也就是为什么7404漏电大就不能使电路正常工作的根本原因。
由于三极管工作的时间只有大约5秒,时间很短,所以用普通二极管不会有太大的问题,用稳压二极管可以使三极管流过的电流减小,使三极管的功耗也降低了,电路工作的可靠性增强了。
整个电路用回路电压的概念去理解应该很快就明白了。
说的再明白点就是利用二极管的正向导通反向截止的特性来达到控制三极管的开与关的目的。
很高兴与你共同探讨。
你好!从内心感谢EEPW为我们技术人员提供了这样一个交流的平台。
也很高兴能与你共同探讨这样一个有见解的技术话题。
中午休息的时候写了很多,不知为什么没有发送成功。
图中的R1和R3在这里只是提供一个高电位,它们的使命只有在S1闭合前起作用,对电解电容充电的是U1的12脚,只要U1的13脚输入为高,那么输出就为低,反之正好相反,反相器不就是用来使电位反相的吗?同样U1的10脚输出也是这样的道理(这里R1和R3的取值是经验值,对于一个反相器而言,100K已经足够了)。我需要的是U1的10脚电位的变化,只有C点电位足够低,才能为Q1提供一个很好的通路。
我们现在讨论的是换芯片以后所带来的结果,我没有换其中的任何器件,结果就截然不同。你能就此做一个更为合理的解释吗?
也很高兴能与你共同探讨这样一个有见解的技术话题。
中午休息的时候写了很多,不知为什么没有发送成功。
图中的R1和R3在这里只是提供一个高电位,它们的使命只有在S1闭合前起作用,对电解电容充电的是U1的12脚,只要U1的13脚输入为高,那么输出就为低,反之正好相反,反相器不就是用来使电位反相的吗?同样U1的10脚输出也是这样的道理(这里R1和R3的取值是经验值,对于一个反相器而言,100K已经足够了)。我需要的是U1的10脚电位的变化,只有C点电位足够低,才能为Q1提供一个很好的通路。
我们现在讨论的是换芯片以后所带来的结果,我没有换其中的任何器件,结果就截然不同。你能就此做一个更为合理的解释吗?
谢谢!你的这一条算是说到点子上了,让我不能不给你加分。
非常棒!的确不错。
这两天我也始终在考虑这个问题,最后问题归结到了器件本身的特性上,也就是针对于反相器输出阻抗上面,由于7404输出阻抗低,而CD4069的输出阻抗相对于7404高而导致了帖子中现象的发生。顺便再往深探讨一下,这也是不是由于CMOS器件是压控型,而74系列是流控型的器件使然呢?这只是我的偶尔的一种想法,不一定正确。
另外,你说的R5阻值不能过大,它是光控器件输入端的限流电阻,如果阻值过大的话会导致光耦内的发光二极管截止不工作,就无法控制后面的电路了。
其它的我基本同意你的分析。
非常感谢!
望以后继续切磋。
非常棒!的确不错。
这两天我也始终在考虑这个问题,最后问题归结到了器件本身的特性上,也就是针对于反相器输出阻抗上面,由于7404输出阻抗低,而CD4069的输出阻抗相对于7404高而导致了帖子中现象的发生。顺便再往深探讨一下,这也是不是由于CMOS器件是压控型,而74系列是流控型的器件使然呢?这只是我的偶尔的一种想法,不一定正确。
另外,你说的R5阻值不能过大,它是光控器件输入端的限流电阻,如果阻值过大的话会导致光耦内的发光二极管截止不工作,就无法控制后面的电路了。
其它的我基本同意你的分析。
非常感谢!
望以后继续切磋。
从分析看有点解释不通,74系列的IC驱动能力还是比较强的,如果是反向漏电流原因,那说明该IC几乎没有输出驱动能力,上拉电阻为150K,请将上拉电阻和输出端R4去掉后检验该IC的输入输出逻辑。
R3和DW1可去掉
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回复后才看到后面的讨论
流过R5的电流实际上是由光耦决定,所以三极管上会有部分压降存在。
你用DW1只是因为担心反相器的输出高不能关断三极管,如果反相器输出足够高的电压,是可以将三极管关断的,此时光耦不会因为光照而有电流流过。
三极管导通时流过R4的电流不会太大,不考虑光耦和三极管be压降,电流也不会超过5V/3K=1.7毫安,远小于74系列芯片的驱动值。
74系列的输出的逻辑高实际上都非常接近VCC,所输出的高一般都可以将三极管关断。
讨论中的漏电流,不清楚你们是怎么理解的,在我个人的理解中漏电流主要是针对关断的场合,关了就应该没有电流可以流过,但实际电路做不到这一点,会有一个非常小的电流流过,就被叫做漏电流。一个芯片输出高或低的时候,自己可以提供一定的电流负载能力,输出高就可以让电流往外流出,输出低可以让电流从外流入,这个电流一般都比较大,已经把漏电流吃掉,不用考虑漏电流。说真的我是没有明白电容的放电过程在什么时候会发生,很容易验证这种想法,有示波器直接用示波器看两级反相的输出状态,可以直观的观察到电容充电的过程,如果没有示波器可以用万用表在按键按下和松开稳定后的管脚10/11/12/13的电压值,看电压值是否满足逻辑关系。
R1的值太大,TTL接口一般不要在输入端使用大电阻
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