概况:本文介绍了电荷俘获的原理以及直流特征分析技术对俘获电荷进行定量分析的局限性。接下来,本文介绍了一种超快的脉冲I-V分析技术,能够对具有快速瞬态充电效应(FTCE)的高k栅晶体管的本征(无俘获)性能进行特征分析。
下载:http://ec.eepw.com.cn/mfmember/showdocument/userid/26895/id/3103
有奖活动 | |
---|---|
【有奖活动】分享技术经验,兑换京东卡 | |
话不多说,快进群! | |
请大声喊出:我要开发板! | |
【有奖活动】EEPW网站征稿正在进行时,欢迎踊跃投稿啦 | |
奖!发布技术笔记,技术评测贴换取您心仪的礼品 | |
打赏了!打赏了!打赏了! |
打赏帖 | |
---|---|
【STM32H7S78-DK评测】LVGL DMA2D/CPU搬运数据至framebuff性能比较被打赏50分 | |
【STM32H7S78-DK评测】LVGL适配之GuiGuider被打赏50分 | |
【STM32H7S78-DK评测】LVGL适配之触摸输入被打赏50分 | |
【STM32H7S78-DK评测】LVGL适配之LCD显示被打赏50分 | |
分享技术笔记六被打赏50分 | |
【开发板试用-NUCLEO-U575ZI-Q】定时器中断实现板载LED点亮被打赏50分 | |
分享技术笔记五被打赏50分 | |
【STM32H7S78-DK评测】LTDC Color Key功能验证被打赏50分 | |
请大声喊出:我要开发板!---使用esp32驱动AD7606C-18被打赏50分 | |
分享技术笔记四被打赏50分 |