T2级和G间用万用表测试,双向阻值均为无穷大,T1和G之间双向都有很小的电阻,用二极管档测,双向压降都很少0.3V甚至更小0.03V. 记着一点就是T1和G之间存在电流通过,即可触发可控硅的导通,属于流控器件,下图中模式2和模式4理论上可行,但实际应用估计会很少很少,原因在于需要两组电源来供电,模式1和3只单组电源供电即可完成 ![]() 应用分析1--(错误的应用)如下图 当MCU输出高电平时,可控硅的G极与T1间存在电流是必然的,所以它会导通,当MUC输出低电平时,由二极管的桥堆形成的电源是无法向G极提供电流的,但是我们再来分析下:交流正半同,假设VCC为9V,即细化桥堆后C点电压为9V,那么可得知如下 C=9V D=9.7 A=0 B=-0.7 而可控硅G极电压由Mcu输出为低电平,即0V,所以T1和G间有压降即BA间的电压0.7V,这个电压极有可能使可控硅导通,当然负半周的分析也极其相似,且BA间的电压至少9.7V,更加会可靠导通,所以此应用无法关断可控硅,非正确的应用 ![]() 应用分析2---(正确的应用) 如下图,设想MCU输出高电压,由7805构成的电源经G极流向T1到地,所以能可靠导通,当输出低电平时,7805的地和T1是同极,所以不可能有电流通过。 接着再分析正半周时,G极和T1电位都为地,所以不存在电流。 负半周时,N的电压为正,T1假设经流经G,但G的电流无法再经7805流到L上,另外由于下图中竖着摆放的二极管导通,反向仅有0.7V的压降,基本等于短路,没有任何导通的理由。 所以下图是正确的可控硅应用的电路.注意G极加适当电阻,来限流。 ![]() |
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双向可控硅驱动运用

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