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变容二极管有时也称为变容器二极管，是适合提供可变电容的结型二极管。P-N 结受到反向偏压，并可通过更改施加的 DC 偏压来改变二极管电容（图 5）。

图 5：变容二极管根据施加的反向偏压提供可变电容。偏压电平越高，电容越低。

变容二极管的电容与施加的直流偏压成反比。反向偏压越高，二极管的耗尽区越广，因而电容也越低。在 Skyworks Solutions 的 SMV1801-079LF 超突变结变容二极管的电容与反向偏压曲线图中，我们可通过图形方式看到这种变化（图 6）。

图 6：Skyworks Solutions 的 SMV1801-079LF 变容二极管的电容与反向偏压的函数关系。（图片来源：Skyworks Solutions）

这些二极管具有很高的击穿电压，高达 28 伏特的偏压，能够在广泛的调谐范围内应用。控制电压必须施加于变容二极管，以免翻转下一级的偏置；它通常采用容性耦合，如图 7 所示。

图 7：变容二极管调谐式振荡器通过电容器 C1，将变容二极管 D1 交流耦合到振荡器。控制电压通过电阻器 R1 施加。

变容二极管通过大型电容器 C1 交流耦合到振荡器振荡电路。这样可将变容二极管 D1 与晶体管偏压隔离，反之亦然。控制电压通过隔离电阻器 R1 施加。

变容二极管可在其他一些应用中取代可变电容器，例如在调谐 RF 或微波滤波器、频率或相位调制器、移相器和倍频器中。