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在开关电源常用拓扑中，除了功率MOS器件，还有不可或缺的二极管器件，但是不一样的电路拓扑中，二极管的选择需要承担不一样的作用，对二极管的性能就有一定的要求，所以本文就列举目前常用拓扑结构中二极管的选型指南。

常用拓扑：
离线非隔离电路（Buck/Buck-boost)---续流二极管

离线隔离电路（反激式）--- 二次侧整流二极管&用于缓冲器的辅助开关二极管

电流谐振电路---自举二极管&二次侧整流二极管

PFC 电路--- 旁路二极管&升压二极管


静态特性：

● 正向压降，VF，正向电流，IF正向施加电压时流过的电流称为正向电流 IF。中频流过时的电压称为正向压降，VF。比较二极管的中频-VF特性时，流过相同量中频所需的VF越低，功率损耗越低，特性越好。VF具有负温度特性，因此温度越高，VF 越低。
● 反向电压，VR，反向漏电流，IR反向施加电压时流过的电流称为反向漏电流，IR。 IR 流动时的电压称为反向电压 VR。当反向施加电压时，会流过轻微的漏电流 IR。 IR较小的二极管功耗较小，可以防止热失控。IR具有正温度特性，因此温度越高，IR越高。 
● 击穿电压，VZ当反向电压 VR 增加时，反向漏电流 IR 在一定电压下急剧增加。该电压称为击穿电压 VZ。击穿电压也称为齐纳电压。

开关特性：

从通过转动开关施加正向电压的状态开始施加反向电压时，恢复电流会流动。 从恢复电流流动到恢复电流减小的时间称为反向恢复时间，trr。 正向电流 IF 越大，trr 越长。 由于恢复电流会引起噪声和功率损耗，因此 trr 越短，特性越好。
下面描述当电压从正向电压变为反向电压时恢复电流流动的原因。

A：未施加电压时      空穴和电子处于平衡状态。

B：施加正向电压时   电子移动到 P 型半导体，空穴移动到 N 型半导体（即，IF 流动）。

C：施加反向电压的瞬间在开关打开的那一刻，反向电压施加到二极管上，电子和空穴的运动方向相反。 此时流动的电流为恢复电流。

D：施加反向电压时片刻之后，耗尽层膨胀，空穴和电子不再移动。 从 C 到 D 的时间是 trr。

二极管类型：