国产首款1700V SiC MOS设计,降低散热成本,大幅度减少辅助成本。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。最终让总体成本得到优化。国产1700V碳化硅MOS性能参数.pdf

我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| bsp_log:RTT分级日志封装被打赏¥16元 | |
| J-LinkRTT常用API函数讲解被打赏¥14元 | |
| 【S32K3学习整理】S32K388 四核启动被打赏¥23元 | |
| 【S32K3学习整理】Lockstep和Decoupled 模式被打赏¥28元 | |
| 嵌入式芯片调试神器-J-LinkRTT被打赏¥21元 | |
| 人体红外PIR感应传感器使用(ESP32S3)被打赏¥26元 | |
| 一种有效完成脚本程序测试的方法被打赏¥28元 | |
| WorkBuddy搭配SolidCraft给开发板做两件式外壳被打赏¥33元 | |
| 开箱一块k230被打赏¥33元 | |
| 【瑞萨RA8D1测评】RA8D1+lwIP网络验证与TCPOTA的实验记录被打赏¥33元 | |
我要赚赏金
