美国吉时利（Keithley）仪器公司特邀请您参加即将举办的网络研讨会―提高半导体器件可靠性的新测量技术。这次技术研讨会将着重介绍硅栅界面损伤的原因及其与设计上出现的可靠性问题的联系，例如负偏置温度不稳定性（NBTI）及高介电系数材料的电荷俘获。我们会详细的介绍一些典型的界面特性分析技术，包括高偏置致漏电（SILC）、电容-电压扫描（CV）、电荷泵（CP）和单脉冲电子俘获（SPCT）等等，同时将它们应用到NBTI的退化和修复机理、PMOSFET及高介电系数材料的电荷俘获的研究中去。您只需注册后就可免费收看。在研讨会直播期间，Keithley的应用工程师将在线回答您的问题。

即刻就可注册，访问下列网址： http://keithley.ndgo.net/advancereliability/chinese/

所有参加这个研讨会的听众，将反馈表填写完整的将会免费获得可靠性测量CD及一个精美CD包（CD包仅限前20名）。