请教一下各位老师,反激同步整流是否可以直接用初级侧控制芯片的PWM驱动信号,经过隔离和反向后驱动副边MOS管。我现在做了一款100W的反激,用初级侧控制芯片驱动,经过数字隔离芯片隔离反向后驱动输出MOS,死区时间也调了,遇到的问题是电源工作在CCM模式时没有问题,进入DCM模式后就会震荡,空载振荡最严重,电压环路和电流环路都调整了也没有多大效果,空载损耗有10W左右。麻烦老师们帮忙分析一下,谢谢!
我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| 告别手动建模:我让AI用FreeCAD画了个开发板外壳被打赏¥30元 | |
| 【瑞萨RA8D1测评】总结收官——从IMU动作识别到LVGL桌宠被打赏¥33元 | |
| 【瑞萨BLE/WIFI模块测评】MPU6050双链路对比被打赏¥30元 | |
| 【瑞萨BLE/WIFI模块测评】DA14531被打赏¥28元 | |
| 【瑞萨BLE/WI-FI模块测评】DA16200被打赏¥28元 | |
| 【瑞萨BLE/WIFI模块测评】环境搭建被打赏¥32元 | |
| 【瑞萨RA8D1测评】LVGL显示动画被打赏¥30元 | |
| 【瑞萨RA8D1测评】IMU动作识别的数据采集与模型训练被打赏¥33元 | |
| 【S32K3学习整理】时钟系统 ClockOut 功能被打赏¥28元 | |
| 【S32K3学习整理】以太网LoopBack模式功能验证被打赏¥26元 | |
我要赚赏金
