芯片型号M451RG6E,请问:
1、IO 的切换速度是否和内核一致?
2、flash的读写是否需要等待,等待几个时钟?
3、目前这款芯片是否有大规模的应用,特别是工业领域?
谢谢各位大神。
共2条
1/1 1 跳转至页
M451RG6EIO的切换速度是否和内核一致?

2楼
I/O的速度可达36M。I/O可输出36MHz的波形,幅度到电源到地,频率再高,在高温时会不可靠。
Flash做了总线加宽和优化。但指令跳转时仍会等一两个时钟, 可把代码放到RAM,并把RAM映射到0x10000000地址——有数据和指令两条总线读写这个区域,这样代码执行速度会达到Cortex-M4核的最优状态。
M451系列就是在工业领域应用的,抗干扰性能好,同时频率没做太高,只做到72MHz。
共2条
1/1 1 跳转至页
回复
打赏帖 | |
---|---|
宏定义和const关键字定义被打赏5分 | |
【功率监测与控制系统DIY活动成果贴】DIY功率计与LabVIEW数据采集被打赏100分 | |
【Freertos】任务管理被打赏10分 | |
分享博世的两种不同的喷射系统模式被打赏5分 | |
汽车+开路实验与短路实验被打赏10分 | |
多点式电子控制汽油喷射系统知识分享被打赏10分 | |
分享机械控制式汽油喷射系统被打赏5分 | |
【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】解决基于CH341制作无线模块时芯片发热问题被打赏31分 | |
【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】使用STM32F103ZE主控调试RS485通讯的避坑经验被打赏36分 | |
【分享开发笔记,赚取电动螺丝刀】移植xprintf模块被打赏27分 |