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有两个晶体管(transistor)，一个NPN和一个PNP，连接方式下图所示。假设此晶体管是硅(Si)，并显示0.6伏特(V)基极至发射极电压，且两个晶体管的ß值非常高，使得基极电流几乎为零。

求电压V？？

分析

为了求解电压V？？，分析NPN和PNP晶体管的连接方式，并应用晶体管的基本工作原理。

假设两个晶体管的β值非常高，这意味着它们的基极电流几乎为零。在硅晶体管中，当晶体管处于饱和或截止状态时，基极电流可以非常小。

题目还给出了基极至发射极的电压为0.6伏特，这是硅晶体管在正向偏置时的典型电压降。

由于题目没有提供具体的电路连接方式（是共射、共基还是共集连接），以及电源和负载的详细信息，只能做出一些合理的假设来简化问题。

假设电路是一个简单的电压跟随器配置（虽然这通常不是晶体管的标准连接方式，但为了求解问题，暂时这样假设）：

NPN晶体管处于饱和状态，其集电极电压接近电源电压（假设为Vcc，但题目未给出具体值）。由于β值非常高，基极电流几乎为零，因此可以认为NPN晶体管的发射极电压Ve1等于基极电压Vb1减去0.6伏特（即Ve1 = Vb1 - 0.6V）。

PNP晶体管也处于类似的状态，但其发射极电压Ve2将高于基极电压Vb2（因为PNP晶体管的发射极是P型材料，当正向偏置时，电压从高到低）。同样地，由于β值非常高，基极电流几乎为零，因此可以认为PNP晶体管的发射极电压Ve2等于基极电压Vb2加上0.6伏特（即Ve2 = Vb2 + 0.6V）。

这里有一个问题：在标准的电压跟随器配置中，NPN晶体管的发射极通常会连接到PNP晶体管的基极（或相反），而这两个晶体管的发射极不会直接相连来形成一个共同的电压V？？。假设可能并不符合题目的实际意图。

假设题目中的电路是一个特殊的、非标准的配置，并且两个晶体管的发射极确实通过某种方式相连形成了电压V？？，那么可以尝试通过以下方式求解：

由于两个晶体管的基极电流几乎为零，可以认为它们的基极电压是相等的（即Vb1 = Vb2 = Vb）。

假设NPN晶体管的发射极电压为Ve1，PNP晶体管的发射极电压为Ve2，且Ve1 = Ve2 = V？？（求解目标）。

由于NPN晶体管的发射极电压Ve1 = Vb - 0.6V，而PNP晶体管的发射极电压Ve2 = Vb + 0.6V，在正常情况下这两个电压是不相等的。特殊假设中，它们被强制相等（即V？？ = Ve1 = Ve2）。

这里出现了一个矛盾：在标准的晶体管电路中，NPN和PNP晶体管的发射极电压不可能同时等于同一个值（除非它们处于某种特殊的、非标准的工作状态）。因此，这个问题可能没有一个符合常规电路理论的解。

忽略这个矛盾并继续求解（仅作为数学练习），可以设置等式：

Vb - 0.6V = Vb + 0.6V - Vcc（这里引入了Vcc作为NPN晶体管的电源电压）

但这个等式显然是不成立的，因为它会得出Vcc = 1.2V的荒谬结论（而实际上Vcc应该是一个远大于1.2V的值）。

因此，必须得出结论：根据题目给出的信息和的假设，这个问题无法得出一个合理的解。这可能是因为题目中的电路配置不是标准的晶体管电路配置，或者题目缺少了一些关键的信息（电源电压、负载电阻等）。

第一步

对于NPN基本上为零的基极电流，R1和R2的电压在NPV的基础上将+12V导通电压分压为+4V。当Vbe为0.6V时，NPN发射极为+3.4V，在R3中流过的电流为3.4mA。

第二步    接下来的问题是，NPN发射器和R5如何共享3.4mA电流？

PNP的Vbe为0.6V，如此使得R4中的电流为0.06mA或60μA。在PNP基极电流几乎为零的情况下，由于NPN的ß值非常高，60μA成为NPN的集电极(collector)电流，也变成NPN的发射极电流。　　

流过R5的电流必须是R3的3.4mA电流和NPN发射极的0.06 mA电流之间的差值。该值为3.4-0.06=3.34mA。
第三步

R5上的电压降为3.34V，当加到R3顶端的3.4V时，将R5和PNP集电极的顶端放在+ 6.74V。

实际输出电压仿真结果：

总结：

根据分析实际理论算出的值与实际仿真的结果都在一定的范围，可以看到理论知识的重要性，从中学习到了具体的求证方法，从而得到具体的值。