EEPW论坛

    ·前言：STM32 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32 具有 IAP(在应用编程)功能，所以我们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使用。本章，我们将利用 STM32 内部的 FLASH 来实现数据的存储功能，这次我们是将数据直接存放在 STM32 内部的flash内部。

    STM32 的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数(如 const 类型的数据)。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是 0X08000000, B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。

    信息块，该部分分为2个小部分，其中启动程序代码，是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能，本章不作介绍。闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理: 编程与擦除的高电压由内部产生。

   在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行;既在进行写或擦除操作时，不能4进行代码或数据的读取操作。

二：闪存的软件编写流程：

1：检查 FLASH CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁

2：检查 FLASH SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作设置 FLASH CR 寄存器的 PG 位为’1’

3：在指定的地址写入要编程的半字

4：等待 BSY 位变为’0’

5：读出写入的地址并验证数据

三：STM32 的页擦除顺序为:

检查 FLASH CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁

检査 FLASH SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的闪存操作

设置 FLASH CR 寄存器的 PER 位为’1用 FLASH AR 寄存器选择要擦除的页

设置 FLASH CR 寄存器的 STRT 位为’1’等待 BSY 位变为’0’

读出被擦除的页并做验证

四：软件擦写几个常用的函数

4.1.锁定解锁函数

上面讲解到在对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH寄存器内部；

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);

我们在操作flash时候，操作之前需要将flash解锁，当操作完成后，需要将flash上锁。

4.2 写函数：

FLASH Status FLASH ProgramWord(uint32 tAddress, uint32 t Data);
FLASH Status FLASH ProgramHalfWord(uint32 tAddress, uintl6 t Data);
FLASH Status FLASH ProgramOptionByteData(uint32 t Address, uint8 t Data);

顾名思义分别为:FLASH ProgramWord 为 32 位字写入函数，其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。

4.3 擦写函数：

FLASH Status FLASH ErasePage(uint32 tPage Address);
FLASH Status FLASH EraseAllPages(void);
FLASH Status FLASH EraseOptionBytes(void);

这三个函数顾名思义，第一个函数是页擦除函数，根据页地址擦除特定的页数据，第二个函数是擦除所有的页数据，第三个函数是擦除用户选择字节数据。这三个函数使用非常简单。

4.4 获取flash状态功能

FLASH Status FLASH GetStatus(void);

typedef enum
{
FLASH BUSY = 1,//忙
FLASH ERROR PG,//编程错误
FLASH ERROR WRP,//写保护错误
FLASH COMPLETE,//操作完成
FLASH TIMEOUT//操作超时
}
FLASH Status;

操作之前需要判断一下，当时flash的状态，类似于DMA发送时，判断忙是一样的道理；

4.5.等待操作完成函数

在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行;既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是FLASH Status FLASH WaitForLastOperation(uint32 t Timeout)入口参数为等待时间，返回值是 FLASH 的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。

五：代码分享：

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}
#if STM32_FLASH_WREN    
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
{ 			 		 
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToWrite;i++)
	{
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,WriteAddr,pBuffer[i]);
	    WriteAddr+=2;
	}  
} 

#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else 
#define STM_SECTOR_SIZE	2048
#endif		 
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)	
{
	u32 secpos;	  
	u16 secoff;	   
	u16 secremain; 	   
 	u16 i;    
	u32 offaddr;  
	
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;
	
	HAL_FLASH_Unlock();				
	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;	
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		  
	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);
		for(i=0;i<secremain;i++)	
		{
			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break; 	  
		}
		if(i<secremain)			
		{
			FLASH_PageErase(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);	
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);        
			CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);		
																	
			for(i=0;i<secremain;i++)
			{
				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
			}
			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2); 
		}else 
		{
			FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);       	
			STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);
		}
		if(NumToWrite==secremain)break;
		else
		{
			secpos++;				
			secoff=0;				 	 
		   	pBuffer+=secremain;  	
			WriteAddr+=secremain*2;	   
		   	NumToWrite-=secremain;	
			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;
			else secremain=NumToWrite;/
		}	 
	};	
	HAL_FLASH_Lock();		//上锁
}
#endif

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)   	
{
	u16 i;
	for(i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);
		ReadAddr+=2;	
	}
}

void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)   	
{
	STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);
}