三极管在开关状态下使用时,确实容易出现问题,主要是因为从放大区进入饱和区是一个过渡过程,涉及饱和、浅度饱和和深度饱和三种状态。
饱和状态
定义:当三极管的基极电流(Ib)增加,而集电极电流(Ic)不再随之增加时,三极管进入饱和状态。
特点:
集电极-发射极电压(Vce)较低,通常小于0.4V。
三极管完全导通,功耗较低。
应用:在开关电路中,饱和状态是理想的工作状态,因为此时三极管的导通损耗最小。
浅度饱和状态
定义:当基极电流较小,三极管刚从放大区进入饱和区时,处于浅度饱和状态。
特点:
集电极-发射极电压(Vce)较大,通常大于0.4V。
电流增益(β)接近放大倍数。
问题:
浅度饱和状态下,Vce较大,导致三极管的导通损耗增加,可能引起发热。
开关速度较慢,影响电路性能。
深度饱和状态
定义:当基极电流足够大,使得集电极-发射极电压(Vce)非常小(0~0.3V)时,三极管进入深度饱和状态。
特点:
Vce非常低,导通损耗最小。
电流增益(β)远小于放大倍数,通常以20~30倍为基准。
应用:
深度饱和状态是开关电路中最理想的状态,能够最大限度地降低功耗和提高效率。
影响饱和压降的因素
集电极电流(Ic):集电极电流越大,饱和压降(Vce)也越大。
温度:温度越高,饱和压降(Vce)也越高,但根据NXP的BC817测试数据,温度对饱和压降的影响较小。
基极电流(Ib):基极电流越大,越容易进入深度饱和状态,饱和压降越低。
三极管的输入级特性
三极管的输入级等效于一个二极管,因此具有二极管的特性。
导通压降:在计算低温环境下的电流增益时,需要注意导通压降的变化。
基极保护:基极较为脆弱,通常采用基极限流电阻和基极并联电阻(通常为10kΩ,比例1:1)来保护三极管,确保限流和启动。
在使用三极管时,无论是开关应用还是信号放大,都需要特别注意一些关键点,尤其是在设计复杂电路时。
基极电流的设计
问题:在开关应用中,三极管的基极电流需要足够大,以确保三极管进入深度饱和状态。如果基极电流不足,三极管可能工作在浅度饱和或放大区,导致导通损耗增加。
解决方法:
根据三极管的电流增益(β)和集电极电流(Ic)计算所需的基极电流(Ib = Ic / β)。
在驱动电路中增加基极限流电阻,确保基极电流稳定。
多路输出时的基极电流分配
问题:在一路信号驱动多路输出时(如图所示),多个三极管的基极并联,由于每个三极管的开启电压(Vbe)和等效电阻存在差异,可能导致电流分配不均,部分三极管无法进入深度饱和状态。
解决方法:
为每个三极管的基极单独配置偏置电阻,确保每个三极管获得足够的基极电流。
选择参数一致性较好的三极管,减少因器件差异导致的问题。
三极管的饱和状态
问题:三极管进入深度饱和状态的条件是基极电流足够大,使得集电极-发射极电压(Vce)降至最低(通常小于0.3V)。如果基极电流不足,三极管可能工作在浅度饱和状态,导致Vce较高,功耗增加。
解决方法:
确保基极电流远大于饱和所需的最小值(通常为 Ic / β 的2~3倍)。
使用加速电容或图腾柱电路提高基极驱动能力,加快开关速度。
温度对三极管性能的影响
问题:三极管的参数(Vbe、β)会随温度变化,可能导致电路性能不稳定。
解决方法:
在设计时考虑温度对三极管参数的影响,留出足够的余量。
使用温度补偿电路或选择温度特性较好的三极管。
三极管的保护措施
问题:三极管的基极较为脆弱,容易受到过流或过压损坏。
解决方法:
在基极串联限流电阻,限制基极电流。
在基极和发射极之间并联电阻,提供放电通路,防止电荷积累。
改进方案分析
问题:在图5.31的设计中,多个PNP管的基极并联,由于器件参数差异,可能导致部分三极管无法进入深度饱和状态。
改进方案:
单独配置基极电阻:为每个PNP管的基极单独配置偏置电阻,确保每个三极管获得足够的基极电流。
调整电阻值:根据后级电流需求调整基极电阻值,确保三极管进入深度饱和状态。
器件选型:选择参数一致性较好的三极管,减少因器件差异导致的问题。
总结:
三极管在开关状态下使用时,容易出现问题,主要是因为从放大区进入饱和区是一个过渡过程,涉及饱和、浅度饱和和深度饱和三种状态。饱和状态下,三极管完全导通,Vce较低,功耗最小,是理想的工作状态。浅度饱和时,Vce较大,导通损耗增加,可能导致发热和开关速度变慢。深度饱和状态下,Vce极低,导通损耗最小,是开关电路中最理想的状态。影响饱和压降的因素包括集电极电流、温度和基极电流,其中基极电流越大,越容易进入深度饱和状态。
在使用三极管时,需特别注意基极电流设计,确保其足够大以使三极管进入深度饱和状态。在多路输出时,应为每个三极管单独配置基极电阻,避免电流分配不均。此外,温度对三极管参数的影响也需考虑,设计中应留出余量或使用温度补偿电路。为保护三极管,可在基极串联限流电阻和并联放电电阻。通过合理设计和优化,可以提高电路的可靠性和性能。