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电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 物联网技术 » 关于mos管发热问题

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高工
2012-12-18 22:08:39     打赏
11楼
所谓高端,低端指开关位置说的
高端指靠近电源,低端指靠近地,也就是和负载的相对位置不同
从英文high side / low side过来

当开关在高端,比如LZ位的图,负载靠近地,开关靠近电源,
假如开关饱和导通,电源电压大部分加在电感上,则MOS的S极电压接近12V
此时驱动电压Vgs只有15-12不能饱和

在这种接法下,MOSFET不能饱和导通,工作在放大状态
所以才会发热

如果负载不接地没有问题,采用我在2楼贴的图
mos管S极接地,Vgs为15V或0V,不存在上述问题

高工
2012-12-19 09:33:16     打赏
12楼

呵呵,这个有图的时候,看看,好像明白,没有图的时候,说一下,有时间对不上,你这么一说,明白了。谢谢


高工
2012-12-23 20:17:39     打赏
13楼

我认为Q5和D3在原理上不对劲啊,不能正常工作


菜鸟
2013-01-16 22:44:55     打赏
14楼
学习了,超哥。

高工
2013-01-17 12:03:42     打赏
15楼
在电路中会发热的,注意散热

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