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★本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

★本科生微电子器件及材料实验测试平台核心

§

测试平台的核心 – 源测量单元 （源表， SMU）

四 表 合 一 多通道配置四象限模式

四线/开尔文测试功能

小信号测试

满足先进器件和材料测试需求

标准器件测试库

★本科生微电子器件及材料实验测试基础平台和升级选件

★本科生微电子器件及材料实验测试选型指南

基础平台：

2600双通道源表 + 专业测试软件+ 专业测试导线+ 夹具盒 +手动探针台

升级选件：

积分球，暗电流测试表，开关，磁场

★本科生微电子器件及材料实验测试平台优势

满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求

测试设备和软件简单易用，专业权威，方便学生动手操作

核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求

以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求

附录一：金属—氧化物—半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验

q §实验目的

掌握MOSFET的输入特性测试及分析方法

§掌握MOSFET的输出特性测试及分析方法

§学习利用MOSFET的电学特性曲线求解各种参数

q q实验原理

§金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是集成电路中特别重要的元器件。通过对MOSFET的直流输入特性、输出特性等电学特性测试，可以推算出器件的阈值电压、导通电阻、击穿电压、跨导等重要参数。

q

q 实验设备和测试结果

附录二：MSO电容的准静态CV特性测试实验

q 实验目的

§ 掌握准静态法测量界面态密度分布的原理

§ 熟练掌握准静态C-V测量系统的使用方法

q 实验原理

§ 通过测试MOS电容的高频和低频C-V特性曲线可以得到栅氧化层厚度、界面

态密度、平带电容、平带电压等参数。

q 实验设备和测试结果

附录三：半导体霍尔效应测试实验

q 实验目的

§ 理解和掌握霍尔效应的原理

§ 掌握霍尔效应的测量方法

§ 掌握霍尔效应的分析方法

q 实验原理

§ 霍尔系数的符号来判断半导体材料的导电类型，是N型还是P型；根据霍尔系数及其与温度的关系可以计算载流子的浓度，以及载流子浓度同温度的关系，由此可以确定材料的禁带宽度和杂质电离能；通过霍尔系数和电阻率的联合测量能够确定载流子的迁移率，用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布；测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。

q 实验设备和测试结果

附录四：激光二极管LD的LIV特性测试实验

q 实验目的

• 掌握激光二极管LD的基本原理

• 掌握激光二极管LD的测量方法

• 学习利用激光二极管LD的LIV特性曲线求解各种参数

q 实验原理

§ 半导体激光二极管（LD）或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光，是一种阈值器件，适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。一般用注入电流值来标定阈值条件，也即阈值电流      。LIV特性是选择半导体激光器的重要依据。

q 实验设备和测试结果

附录五:太阳能电池的特性表征

q 实验目的

§ 掌握太阳能电池的基本原理

§ 掌握太阳能电池的特性测试及分析方法

§ 学习利用太阳能电池的电学特性曲线求解各种参数

q 实验原理

§ 光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能。如果半导体内存在P-N结，则  在P型和N型交界面两边形成势垒电场，能将电子驱向N区，空穴驱向P区，   在P-N结附近形成与势垒电场相反的光生电场。若分别在P型层和N型层焊上

金属引线，接通负载，则外电路便有电流通过。如此形成的一个个电池原件，

把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流，输出功率。

q 实验设备和测试结果