OpenVINOTM,给你看得见的未来!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 测试测量 » 微电子教学实验室建设方案——微电子器件及材料实验测试平台

共1条 1/1 1 跳转至

微电子教学实验室建设方案——微电子器件及材料实验测试平台

菜鸟
2019-06-21 14:31:37    评分

★本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能

实验名称

测试参数

 

金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性的IV特性测试实验

· 输出特性曲线

· 转移特性曲线

· 跨导gm

· 击穿电压BVDS

四探针法测量半导体电阻率测试实验

· 四探针法电阻率ρ

· 材料阻值R

MOS电容的准静态CV特性测试实验

· 准静态CV特性曲线

 

半导体霍尔效应测试实验

· 霍尔电压VH

· 霍尔电阻率ρ

· 霍尔系数RH

· 载流子浓度n

· 霍尔迁移率u

 

激光二极管LD的LIV特性测试

· LIV特性曲线

· 阈值电流Ith

· 阈值电流对应电压值Vth

· 拐点Kink

· 线性电阻Rs

 

 

太阳能电池的特性表征

· 开路电压Voc

· 短路电流Isc

· 功率最大值Pmax

· 填充因子FF

· 转换效率η

· 串联电阻Rs

· 旁路电阻Rsh


★本科生微电子器件及材料实验测试平台核心

§

测试平台的核心 – 源测量单元 (源表, SMU)

 

多通道配置四象限模式

四线/开尔文测试功能

小信号测试

满足先进器件和材料测试需求

标准器件测试库

 

 

1.png 

 

★本科生微电子器件及材料实验测试基础平台和升级选件

 

 2.png



★本科生微电子器件及材料实验测试选型指南


2600双通道源表 专业测试软件 专业测试导线 夹具盒

积分球 暗电流测试表 开关

手动探针台

磁场

实验一:晶圆级分立器件IV特性分析




实验二:四探针发测量半导体电阻率测试

实验三:MOS电容的准静态CV特性测试





实验四:半导体霍尔效应测试

实验五:光电器件LIV特性测试




实验六:太阳能电池的特性表征


基础平台:

2600双通道源表 + 专业测试软件+ 专业测试导线+ 夹具盒 +手动探针台

升级选件:

积分球,暗电流测试表,开关,磁场


★本科生微电子器件及材料实验测试平台优势

满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求

测试设备和软件简单易用,专业权威,方便学生动手操作

核心设备测试精度高,满足新材料和新器件的指标要求

以基础平台为起点,可逐步升级,满足日益增加的实验室测试需求


附录一:金属—氧化物—半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验

§实验目的

掌握MOSFET的输入特性测试及分析方法

§掌握MOSFET的输出特性测试及分析方法

§学习利用MOSFET的电学特性曲线求解各种参数

q实验原理

§金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是集成电路中特别重要的元器件。通过对MOSFET的直流输入特性、输出特性等电学特性测试,可以推算出器件的阈值电压、导通电阻、击穿电压、跨导等重要参数。

q

实验设备和测试结果

                                                       

 

3.png
附录二:MSO电容的准静态CV特性测试实验

实验目的

§ 掌握准静态法测量界面态密度分布的原理

§ 熟练掌握准静态C-V测量系统的使用方法

实验原理

§ 通过测试MOS电容的高频和低频C-V特性曲线可以得到栅氧化层厚度、界面

态密度、平带电容、平带电压等参数。

实验设备和测试结果

 

4.png 

 

 

 

 

 

 

 


附录三:半导体霍尔效应测试实验

实验目的

§ 理解和掌握霍尔效应的原理

§ 掌握霍尔效应的测量方法

§ 掌握霍尔效应的分析方法

实验原理

§ 霍尔系数的符号来判断半导体材料的导电类型,是N型还是P型;根据霍尔系数及其与温度的关系可以计算载流子的浓度,以及载流子浓度同温度的关系,由此可以确定材料的禁带宽度和杂质电离能;通过霍尔系数和电阻率的联合测量能够确定载流子的迁移率,用微分霍尔效应法可测纵向载流子浓度分布;测量低温霍尔效应可以确定杂质补偿度。

实验设备和测试结果





5.png

 



附录四:激光二极管LD的LIV特性测试实验

实验目的

• 掌握激光二极管LD的基本原理

• 掌握激光二极管LD的测量方法

• 学习利用激光二极管LD的LIV特性曲线求解各种参数

实验原理

§ 半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器,它通过受激辐射发光,是一种阈值器件,适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。一般用注入电流值来标定阈值条件,也即阈值电流      LIV特性是选择半导体激光器的重要依据。

实验设备和测试结果

 

6.png                                     

 

 

 

 

 

 

 

 


附录五:太阳能电池的特性表征

实验目的

§ 掌握太阳能电池的基本原理

§ 掌握太阳能电池的特性测试及分析方法

§ 学习利用太阳能电池的电学特性曲线求解各种参数

实验原理

§ 光能就以产生电子-空穴对的形式转变为电能。如果半导体内存在P-N结,则  在P型和N型交界面两边形成势垒电场,能将电子驱向N区,空穴驱向P区,   在P-N结附近形成与势垒电场相反的光生电场。若分别在P型层和N型层焊上

金属引线,接通负载,则外电路便有电流通过。如此形成的一个个电池原件,

把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率。

实验设备和测试结果

7.png





关键词: 微电子器件 材料 高校 实验室 源表    

共1条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]