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【应用笔记】对相变存储器(PCM)器件进行特征分析的脉冲需求

高工
2012-06-08 18:22:11     打赏

我们必须仔细选择所用RESET和SET脉冲的电压和电流大小,以产生所需的熔化和再结晶过程。RESET脉冲应该将温度上升到恰好高于熔点,然后使材料迅速冷却形成非晶态。SET脉冲应该将温度上升到恰好高于再结晶温度但是低于熔点,然后通过较长的时间冷却它;因此,SET脉冲的脉宽和下降时间应该比RESET脉冲长。

1微秒左右的脉冲宽度通常就足够了。这种长度的脉冲将产生足够的能量使PCM材料熔化或者再结晶。脉冲电压应该高达6V,要想达到熔化温度则需要更高的电压。电流大小范围在0.3~3mA之间。

RESET脉冲的下降时间是一个关键的参数[2]。PCM技术的状态决定了所需的最小下降时间。目前,一般的需求是30~50纳秒。更新的材料将需要更短的下降时间。如果脉冲的下降时间长于所需的时间,那么材料可能无法有效淬火形成非晶态。




关键词: 应用     笔记     相变     存储器     器件     进行     特征     分析         

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