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什么是F-RAM?

高工
2014-06-12 10:31:22    评分

  电子发烧友网核心提示:什么是F-RAM?F-RAM:铁电随机存储器。

  相对于其它类型的半导体技术而言,铁电随机存储器(F-RAM)具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类:易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于使用,高性能,但它们有着共同的弱点:在掉电的情况下会失去所保存的数据。

图1: PZT 晶体结构  
图1: PZT 晶体结构

  F- RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜,通常被称为PZT(图1)。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性,从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同,F-RAM在电源被关闭或中断时,由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。

  F-RAM、ROM都属于非易失性存储器,在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM,像EEPROM(可擦可编程只读存储器)和Flash存储器,可以被擦除,并多次重复编程,但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于ROM技术的存储器读写周期有限(仅为1E5次),使它们不适合高耐性工业应用。

图 2: 写入速度比较  
图 2: 写入速度比较

  *在 25 MHz频率下,F-RAM 写入速度比EEPROM器件快488 倍。

  F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10,000倍的耐性,低于3,000倍的功耗和将近500倍的写入速度(图 2)。F-RAM结合了RAM和ROM的优势,与传统的非易失存储器相比,具有高速、低功耗、长寿命的特点。




关键词: F-RAM     DRAM     SRAM     EEPROM    

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