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随着宽禁带半导体技术的日益普及，需要在高温和苛刻的 电流 循环条件下，对 二极管 操作进行各种耐久性 测试 ，以评估其性能。毫无疑问，功率电子器件作为基本 元器件 ，将在未来几年中持续发展。而新型碳化硅（SiC）半导体材料更是不负众望，它比传统硅材料导热性更佳、 开关 速度更高，而且可以使器件尺寸做到更小。因此，碳化硅开关也成为设计人员的新宠。

碳化硅二极管主要为肖特基二极管。第一款商用碳化硅肖特基二极管十多年前就已推出。从那时起，它就开始进入电源系统。二极管已经升级为碳化硅开关，如JFET、BJT和 MOSFET 。目前市场上已经可以提供 击穿 电压为600-1700V、且额定电流为1A-60A的碳化硅开关。本文的重点是如何有效地检测SicMOSFET。

图1：首款商用SiCMOSEFT-CMF20120D。

碳化硅二极管

最初的二极管非常简单，但随着技术的发展，逐渐出现了升级的JFET、MOSFET和双极晶体管。碳化硅肖特基二极管优势明显，它具有高开关性能、高效率和高功率密度等特性，而且系统成本较低。这些二极管具有零反向恢复时间、低正向压降、电流稳定性、高抗浪涌电压能力和正温度系数。

新型二极管适合各种应用中的功率变换器，包括光伏太阳能逆变器、电动车（EV）充电器、电源和汽车应用。与传统硅材料相比，新型二极管具有更低的漏电流和更高的掺杂浓度。硅材料具有一个特性，就是随着温度的升高，其直接表征会发生很大变化。而碳化硅是一种非常坚固且可靠的材料，不过碳化硅仍局限于小尺寸应用。

检测碳化硅二极管

本文要检测的碳化硅二极管为罗姆半导体的SCS205KG型号，它是一种SiC肖特基势垒二极管（图2）。其主要特性如下：

反向电压Vr：1200V

连续正向电流If：5A（+150℃时）

浪涌非重复正向电流：23A（PW=10ms正弦曲线，Tj=+25℃

浪涌非重复正向电流：17A（PW=10ms正弦曲线，Tj=+150℃）

浪涌非重复正向电流：80A（PW=10μs方波，Tj=+25℃）

总功耗：88W

结温：+175℃

TO-220AC封装

图2：罗姆SCS205KGSiC二极管。

罗姆半导体公司的SCS205KGSiC二极管性能稳固，恢复时间短且切换速度快。其官方S PI CE模型允许用户在任何条件下对器件进行仿真。

正向电压

首先，我们 测量 SiC二极管的正向电压。图3所示为一个简单的测试电路及其三维示意图，以及在不同的工作温度下，器件数据手册中有关正向电压的相关数据摘录。

图3：SiC二极管的正向电压测试原理图。

测试接线图中，肖特基SCS205KGSiC二极管与一个阻值约6.7欧姆的电阻串联，以允许5A的电流通过电路。其电源电压设置为36V。为了更好地优化功耗和散热性能，我们使用了十个并联的67欧姆电阻，以模拟单个6.7ohm电阻。每个电阻的功率必须至少为20W。肖特基二极管SCS205KG的数据手册中明确了在各种工作温度下器件两端的电压值：

If=5A，Tj=+25℃：1.4V

If=5A，Tj=+150℃：1.8V

If=5A，Tj=+175℃：1.9V

这些数据说明了二极管两端的电压高度依赖于温度。因此，设计人员必须尽可能地抑制这种电压波动，以免影响最终的系统性能。我们使用如下的SPICE指令，在0℃至200℃的温度范围内进行直流扫描仿真，以测量功率二极管两端的电压：

DCtemp020025

仿真结果返回了在不同温度下二极管上的电压值，这些数据完全符合器件数据手册中提供的指标。其中红色框中包含了文档中报告的测试温度。

表1：温度与测得电压值。（麻烦将制作成表格形式）

如图4所示，随着温度的变化，绿色曲线表示二极管阳极上固定的36V电压，黄色曲线表示阴极上的电压变化。其电位差构成了“正向电压”。由于阳极和阴极的电压之间存在代数差，从图中可以观察到器件上存在电位差。该测试必须在几秒钟内完成。

电容电抗

其次，我们测量SiC二极管的电容电抗。图5所示为简单的测试电路及其三维示意图。

图4：SiC二极管电容电抗测试示意图。

在电路图中，肖特基SiC二极管SCS205KG与一个阻值低至约0.1欧姆的电阻串联。另有一个阻值很高的第二电阻与二极管并联。电源电压是设置为1V的正弦波电源。我们可以执行如下的SPICE指令进行AC仿真，在200MHz至2MHz频率范围内，对功率二极管的电容电抗进行测量：

AClin10000.2Meg2Meg

仿真结果（参见图6）显示出在正弦波不同频率下的不同电容电抗。

图5：该仿真在频域中测量SiC二极管的电容电抗。二极管表现为一个小型 电容器 ，容值取决于所承受的频率。

如图7所示，我们采用如下公式测量二极管的电容电抗。它发生在频域中的AC。

IM（V（n002）/ I（R1））

图6：二极管电容电抗的计算公式。

二极管可以用电容器代替，以便用真实器件来执行另一个仿真。

反向电流

第三个要测量的是SiC二极管的反向电流。图8所示为一个简单的测试电路及其三维示意图，以及在不同的工作温度下，器件数据手册中有关反向电流的相关数据摘录。

图7：SiC二极管反向电流的测试示意图。

电路图（图8）中，肖特基SiC二极管SCS205KG与一个阻值低至约0.1欧姆的电阻串联。电源电压是设置为1200V的正弦波电源。二极管以反向模式连接。我们采用如下SPICE指令，执行DC仿真（扫频），测试在+20℃至+200℃的温度范围内流过二极管的反向电流。

DCTEMP202001

该仿真测试了SiC二极管两端的反向电流在温度域的变化情况。

（电压V与电流I）显示了在+25℃的恒定温度下，当施加到二极管的电压在0V至1200V之间变化时，反向电流的变化曲线。

结论

碳化硅二极管具有非常快速的恢复时间，这可提高开关速率，并减小 磁性元件 和其它无源元件的尺寸，从而使最终产品具有更高的功率密度。 对于电源开关应用，碳化硅二极管在效率和热性能方面也具备显着的优势。 这种器件可以在更高的温度下运行，而温度是改变电子器件工作条件的重要因素。 如果采用真正的SiC器件进行真实测试与仿真会更加有趣，这样可以评估 仿真器