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SiC 是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料。其 结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC 存 在多晶型（同质多象）现象，不同的晶体结构具有不同的 物理性质。其中适用于功率元器件领域的是 4H-SiC。表 1 中列出了 4H-SiC 与 Si 以及近年来比较常见的其他半导体 材料之间的比较。

表中黄色高亮部分是 Si 与 SiC 的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC 在这些参数上具有显著优势。另外，与 Si 相同、与其他新材料不同的是，SiC 这种材料在元器件制造所需的 p 型、n 型控制方面支持很宽的控制范围，这也是 SiC 的一大特点。基于

这些优势，SiC 作为一种超越 Si 极限的功率元器件材料被寄予厚望。现将 SiC 的特点总结如下：

 Si 和 C 以 1：1 的比例合成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体

 以 Si-C 原子对为单位层的最密堆积结构

 存在多晶型现象，4H-SiC 最适合功率元器件

 结合力非常强＝在热、化学、机械方面很稳定

– 热稳定性 ：在常压状态下无液层，2000℃升华

– 机械稳定性：莫氏硬度（9.3）可以媲美钻石（10）

– 化学稳定性：对大多数酸和碱呈惰性