实验内容:简单的读、写闪存的一个地址数据,(未牵扯到多页的读写,后续会补上)若读出的数据和写入的数据相同则LED1闪烁,否则LED2闪烁。
简介:
STM32F103ZE有64KBRAM和512KB闪存。
高达512K字节闪存存储器结构,闪存存储器有主存储块和信息块组成:
主存储块容量: 大容量产品主存储块为64Kbx64位,每个主存储块划分为256个2K字节的页。
信息块为258x64位,每个信息块划分为一个2K字节的页和一个16字节的页。
闪存存储器接口的特性为:
1 带预取缓冲器的读接口(每字为2x64位)
2 选择字节加载器
3 闪存编程/擦除操作
4 访问/写保护
5 擦写周期1000次
5 存储器配置
闪存 存储器被组织成32位宽的存储单元,可以存放代码和数据常数,每一个STM32微控制器的闪存模块都有一个特定的起始地址。
在执行闪存写操作时,任何对闪存的读操作都会锁住总线,在写操作完成之后读操作才能正确进行:即在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读操作。进行闪存编程操作时,必须打开内部的RC振荡器(HIS),具体的操作请参看相关的手册和库函数指南。
具体的工程文件为:
Flash_test.rar
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STM32F103ze学习笔记(内部Flash)

关键词: STM32F103ze 学习 笔记 内部 Flas
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