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实验内容：简单的读、写闪存的一个地址数据，（未牵扯到多页的读写，后续会补上）若读出的数据和写入的数据相同则LED1闪烁，否则LED2闪烁。
简介：
STM32F103ZE有64KBRAM和512KB闪存。
高达512K字节闪存存储器结构，闪存存储器有主存储块和信息块组成：
主存储块容量： 大容量产品主存储块为64Kbx64位，每个主存储块划分为256个2K字节的页。
信息块为258x64位，每个信息块划分为一个2K字节的页和一个16字节的页。
闪存存储器接口的特性为：
1 带预取缓冲器的读接口(每字为2x64位)
2 选择字节加载器
3 闪存编程/擦除操作
4 访问/写保护
5 擦写周期1000次
5 存储器配置
闪存 存储器被组织成32位宽的存储单元，可以存放代码和数据常数，每一个STM32微控制器的闪存模块都有一个特定的起始地址。
在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成之后读操作才能正确进行：即在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读操作。进行闪存编程操作时，必须打开内部的RC振荡器（HIS），具体的操作请参看相关的手册和库函数指南。
具体的工程文件为：
Flash_test.rar