最近咱们的新系统计量仪表项目上，第一次用到了铁电存储/FRAM这个新玩意儿（富士通半导体2.7V-5.5V宽电压FRAM——MB85RC256V），恶补了一些铁电存储的基础知识，这次也顺道在慕尼黑电子展上在富士通的展会上与他们的专家有不少的交流和学习，增长不少知识。网上FRAM的资料好少，down的都是英文的，英语不好害死人！！！发现FRAM小白真心不少，这里，分享普及一些FARM方面的知识，大牛如果误点进来就给小弟一些学习FRAM经验介绍吧！
什么是FRAM?
FRAM（铁电随机存取存储器）是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM同 时具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的优点，在高速写入、高耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
关于铁电介质
下面的图表解释了PZT晶体结构，这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移 动。一旦位置设定，即使在出现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，超越了磁滞回 线。数据以“1”或“0”的形式存储。
PZT晶体结构和FRAM工作原理
当加置电场时就会产生极化。（锆/钛离子在晶体中向上或向下移动）
即使在不加置电场的情况下，也能保持电极。
两个稳定的状态以“0”或“1”的形式存储。
存储器分类中的FRAM
与其它存储器产品相比，FRAM的特性
|
|
FRAM |
E2PROM |
Flash |
SRAM |
|
存储器类别 |
非易失性 |
非易失性 |
非易失性 |
易失性 |
|
晶胞结构*1 |
1T1C/2T2C |
2T |
1T |
6T |
|
数据改写方法 |
改写 |
擦除+写入 |
扇面擦除+ 写入 |
改写 |
|
写入循环时间 |
150ns |
5ms |
10µs |
55ns |
|
耐久力 |
最大 1012（1万亿次循环） |
106（100万次循环） |
105（10万次循环） |
无限制 |
|
写入操作电流 |
5mA（典型值） |
5mA（最大值） |
20mA（最大值） |
8mA（典型值） |
|
待机电流 |
5µA（典型值） |
2µA（最大值） |
100µA（最大值） |
0.7µA（典型值） |
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