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关于MOS管上升时间的深度探讨

若即若离
菜鸟
2013-09-24 10:55:34     打赏

分享一下看到的这段讨论，反正对我挺有启发的：


看一本书这样计算mos的上升时间的，如图，那个输入电容是一直变化的，他这样求不知道误差大不大啊。。。有试验过的么？？？

112315g272bgz2ogw26gfo.jpg.thumb.jpg

 

1123128tar491v48ymt6yv.jpg.thumb.jpg

问题答复见：http://ezchina.analog.com/thread/6676
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关键词： MOS管 上升时间    

落月风情
高工
2013-09-24 10:58:59     打赏
2楼
讨论的越来越专业化了，看看答案解析

评论
落月风情
高工
2013-09-24 11:00:03     打赏
3楼
看错了，楼主最后挂的是连接啊，我还以为回复可见呢，唉。。。

评论
若即若离
菜鸟
2013-09-24 11:05:37     打赏
4楼

  • 逼得我要勤快点贴出来答案啊，呵呵～  关于MOS管上升时间的深度探讨 

    条件是RL >> RG嘛，Id足够小 的话Cgd的miller effect可以忽略，这样就可以只算Ciss了。不过满足RL >> RG的情况实际中应该很少，MOSFET都是大电流开关应用为主。

    其实大多数MOSFET手册都有给出Qg，按Qg算方便快捷。

     


评论
lanos
菜鸟
2013-09-24 11:46:39     打赏
5楼

 


评论
songzhige
高工
2013-09-25 07:17:53     打赏
6楼

其实大多数MOSFET手册都有给出Qg，按Qg算方便快捷？


怎么算？

 


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Snake0301
高工
2013-09-26 17:46:57     打赏
7楼
宏观的电路模型计算出来的，不知道要不要考虑微观材料模型造成的延时呢？譬如载流子渡越时间之类的。

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圆方微电子
菜鸟
2022-11-17 10:56:52     打赏
8楼

本公司提供中低压MOS（生产销售一体），感兴趣的加我VX:13554887234(可提供设计方案，可定制）

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xiongG
高工
2022-12-02 09:48:53     打赏
9楼

大多数MOSFET手册都有给出Qg


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