分享一下看到的这段讨论，反正对我挺有启发的：
看一本书这样计算mos的上升时间的，如图，那个输入电容是一直变化的，他这样求不知道误差大不大啊。。。有试验过的么？？？
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关于MOS管上升时间的深度探讨
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逼得我要勤快点贴出来答案啊，呵呵～ 关于MOS管上升时间的深度探讨
条件是RL >> RG嘛，Id足够小 的话Cgd的miller effect可以忽略，这样就可以只算Ciss了。不过满足RL >> RG的情况实际中应该很少，MOSFET都是大电流开关应用为主。
其实大多数MOSFET手册都有给出Qg，按Qg算方便快捷。
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