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电源IC的功率损耗计算示例（内置MOSFET的同步整流型IC）
图中给出了从“电源IC的损耗”这个角度考虑时相关的部分。本次以输出段的MOSFET内置型IC为例进行说明。相关内容见图中蓝色所示部分。电感除外（因为电感是外置的）。如果计算此前的说明中使用的控制器型IC的损耗的话，是不包括MOSFET和电感损耗的。

要计算损耗时，需要有单独计算时公式各项相应的值。原则上使用技术规格书中给出的值。
一般情况下，技术规格书的标准值（即IC参数的值）中，包括最小值、典型值、最大值。有些参数只有最小值或最大值，或只有典型值，并非所有的参数都具备这三种值。
关于应该使用这些值的哪个值，可能会有不同的看法，但我认为应该考虑到值的变化/波动，计算最差条件下的损耗。
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此次将使用右侧给出的值。这些均是以最差条件为前提的值。计算步骤是先按照每种损耗的公式计算各自的损耗，然后再将损耗结果相加。
① 高边MOSFET的传导损耗

② 低边MOSFET的传导损耗

③ 高边MOSFET的开关损耗

④ 死区时间损耗

⑤ IC控制电路的功率损耗

⑥ 栅极电荷损耗

电源IC的功率损耗总和

在本示例中，电源IC的功率损耗约为1W。只要用于计算的数据完整，功率损耗计算并不难。

关键要点:

・电源IC的功率损耗是单个损耗的总和。
・关于计算所用的值，虽然有很多种看法，但应该通过计算最差条件下的损耗进行确认。