电动车专用MOSFET选择指南

48V控制器专用:




可靠性实验(HM85N80)
HTRB可靠性试验:环境温度150C下,漏电电压80% Vds,继续通电1000小时,80颗全通过
HTGB可靠性试验:环境温度150C下,栅极电压80% Vgs,继续通电1000小时,80颗全通过
控制器高温试验:64V12管限流值28A电机500W,控制器所处环境温度80C下,正常加载持续老化48小时通过
控制器短路试验:A,B,C三相各短路30次全通过
控制器堵转试验:100次通过
产品特征
低导通电阻,低栅极电荷
高散热能力;高结温下,大电流持续导通能力
高EAS能力(100% UIS测试)
电参数高度一致性和重复性。(芯片在国际一流8英寸芯片代工厂生产+成品在国内顶尖的封测厂封装)
特殊制程,高防静电能力(ESD)
货源保证
稳定持续的大量供货能力