网站首页
这些小活动你都参加了吗？快来围观一下吧！>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 嵌入式开发 » STM32 » 碳化硅MOS驱动设计与PCB布局方法

共96条 2/10 ‹ 1 2 3 4 5 6 › ›| 跳转至页
linghz
专家
2022-03-26 10:41:24     打赏
11楼

学习一下


评论
Ewyas
助工
2022-03-28 15:41:49     打赏
12楼

MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现



评论
Ewyas
助工
2022-04-01 17:56:03     打赏
13楼

SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。这种特性支持高开关频率，因此有助于实现高功率密度设计


评论
lxl666
专家
2022-04-01 18:58:36     打赏
14楼

谢谢分享


评论
北山独狼
高工
2022-04-02 10:23:14     打赏
15楼

谢谢分享


评论
jwdxu2009
专家
2022-04-02 10:35:26     打赏
16楼

写的好，参考和学习


评论
nelsonzhang
高工
2022-04-02 10:52:55     打赏
17楼

good


评论
Ewyas
助工
2022-04-13 15:23:42     打赏
18楼

宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点


评论
Ewyas
助工
2022-04-20 07:59:01     打赏
19楼

要求驱动器具有双路输出端口。


评论
飞行的猫猫
助工
2022-04-20 08:27:47     打赏
20楼

学习了


评论
共96条 2/10 ‹ 1 2 3 4 5 6 › ›| 跳转至页

回复

匿名不能发帖！请先 [ 登陆 注册 ]