下面,以IEC61000-4-2标准人体静电模型(HBM)为例,给大家简单讲解一下。
下图是静电发生器等效模型,其中Vx是合成电压,Cx为待测件DUT(Device under test),Rc为充电电阻,Cd为充电电容,Rd为放电电阻。
简单的工作原理就是:充电开关1闭合,放电开关2断开,高压电源Vd通过Rc对Cd充电;充电开关1断开,放电开关2闭合,Cd储存电荷对DUT放电。
到此可以发现,电容对抗静电的原理就是能量的转移,将Cd储存的能量瞬间转移到放电时的Cd和Cx上面。
一般而言,对于电源等速率不高的连接器输入端通常会使用Cx=100nF/50V规格的电容。IEC61000-4-2标准 Cd=150pF,Rd=330Ω,根据Q=CU,试验等级8KV时,我们来验证下容值和额定耐压值是否符合要求。
Cx=100nF
Vx = Cd * Utest / (Cd + Cx) =150pF*8KV/(150pF+100nF)= 11.98V < 50V
Vx Rated Power =50V
Cx = Cd * ( Vx - 50 ) / 50 = 150pF * ( 8KV - 50 ) / 50 = 22.5 nF < 100 nF
其中,Cx,Vx的最小值均不超过Cx=100nF/50V,满足ESD电容选型要求。对于更高级别的ESD放电电压,可根据实际情况进行计算即可。
电容为什么能防ESD?

通常在项目中,由于成本的考虑,对抗ESD的器件不会全部选择TVS,转而用便宜的MLCC电容代替。典型的防静电电容不过是个普通的片状电容,那么你可曾想过,为什么能防ESD呢?其原理又是什么呢?
关键词: 电容 ESD


回复
有奖活动 | |
---|---|
【EEPW电子工程师创研计划】技术变现通道已开启~ | |
发原创文章 【每月瓜分千元赏金 凭实力攒钱买好礼~】 | |
【EEPW在线】E起听工程师的声音! | |
“我踩过的那些坑”主题活动——第001期 | |
高校联络员开始招募啦!有惊喜!! | |
【工程师专属福利】每天30秒,积分轻松拿!EEPW宠粉打卡计划启动! | |
送您一块开发板,2025年“我要开发板活动”又开始了! | |
打赏了!打赏了!打赏了! |
打赏帖 | |
---|---|
多组DCTODC电源方案被打赏50分 | |
【我踩过的那些坑】STM32cubeMX软件的使用过程中的“坑”被打赏50分 | |
新手必看!C语言精华知识:表驱动法被打赏50分 | |
【我踩过的那些坑】杜绑线问题被打赏50分 | |
【我踩过的那些坑】STM32的硬件通讯调试过程的“坑”被打赏50分 | |
【我踩过的那些坑】晶振使用的问题被打赏100分 | |
【我踩过的那些坑】电感选型错误导致的处理器连接不上被打赏50分 | |
【我踩过的那些坑】工作那些年踩过的记忆深刻的坑被打赏10分 | |
【我踩过的那些坑】DRC使用位置错误导致的问题被打赏100分 | |
我踩过的那些坑之混合OTL功放与落地音箱被打赏50分 |