MOS管随着负载电流增加,米勒平台下跌也跟着更低,如何解决该问题呢?
有可能是测量探头引起,特别是使用隔离差分探头的情况如果是使用差分探头,可以用这样方法检验:增大差分探头环路面积,对比米勒平台下探幅度是否增加,如果是说明下探有探头引起如果是上述原因,解决办法1.差分探头形成的闭合环平面应尽量平行于外部电流形成的磁场(就是改变一下探头放置看看)2.减少差分探头闭合面面积3.直接用非隔离探头,可以使用接地弹簧来减少测试环路面积
增加驱动能力