AP1N65MI是硅N通道增强的VDMOSFET 是通过自对准的平面技术获得的，该技术可以减少传导损失，提高开关性能并增强雪崩能量。 晶体管可用于各种电源开关电路，以进行系统的微型化和更高的效率。 常规功能VDS = 650V ID = 0.8A rds（on）<21Ω @ vgs = 10v
采用封装：SOT23-3L 深圳市芯美力科技，原厂授权一级代理 价格优势，欢迎咨询。电话：19928739245（微同）QQ ：541777848
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